[实用新型]卡罗酸加热系统有效
申请号: | 202021816700.5 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN212485282U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 许忠晖;王東銘;陈嘉勇;李嘉伦 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/42 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 卡罗酸 加热 系统 | ||
1.一种卡罗酸加热系统,其特征在于,所述卡罗酸加热系统包括:
光刻胶清洗室,所述光刻胶清洗室内具有第一加热器,所述第一加热器用于放置待处理芯片,将所述待处理芯片加热至第一温度;
预热槽,所述预热槽用于将硫酸加热到第二温度;
试剂管路,所述试剂管路用于将双氧水与加热到所述第二温度的硫酸混合为卡罗酸,通过所述卡罗酸清洗加热到所述第一温度的待处理芯片的表面,以去除所述待处理芯片表面的光刻胶;
其中,所述第一温度大于所述第二温度。
2.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述第一加热器表面具有第一保护层。
3.根据权利要求2所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述第一保护层为石英层。
4.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述预热槽包括:
槽体,所述槽体具有进液孔和出液孔,所述进液孔连通第一管路,所述第一管路用于为所述槽体内添加硫酸,所述出液孔用于连通所述试剂管路,用于提供加热到所述第二温度的硫酸;
其中,所述槽体的内壁涂覆有第二保护层,所述槽体内具有第二加热器,用于对所述槽体内的硫酸进行加热。
5.根据权利要求4所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述第二保护层为石英层或铁氟龙层。
6.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述试剂管路包括:
第二管路,所述第二管路与双氧水供给装置连通;
第三管路,所述第三管路与所述预热槽的出液孔连通;
三通阀,所述三通阀的三个连通口分别连通喷头、所述第二管路和第三管路,使得所述第二管路中的双氧水与所述第三管路中的硫酸混合形成卡罗酸,通过所述喷头向所述待处理芯片表面喷覆卡罗酸。
7.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,还包括:
电脑,所述电脑通过第一温度控制器与所述第一加热器连接,通过第二温度控制器与所述预热槽中的第二加热器连接。
8.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述光刻胶清洗室具有酸气排气口,用于排除所述光刻胶清洗室内气化的卡罗酸酸气。
9.根据权利要求8所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述酸气排气口与酸气回收装置连接。
10.根据权利要求1所述的卡罗酸加热系统,其特征在于,所述第一温度不小于220℃;
所述第二温度大于80℃,小于100℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉芯集成电路制造(济南)有限公司,未经泉芯集成电路制造(济南)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021816700.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED节能灯高稳定性恒流驱动系统
- 下一篇:一种机箱防滑保护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造