[实用新型]一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件有效
申请号: | 202021803261.4 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN212648230U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请(专利权)人: | 张家港迪源电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/16;H01L23/00;H01L29/739;H01L23/02 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 碳化硅 性能 igbt 器件 | ||
本实用新型适用于IGBT器件技术领域,提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳,所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板,所述底壳的内部下表面设置有稳定壳,且稳定壳的外侧面连接有橡胶环,所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板,且散热板的内侧设置有导热硅胶,所述基板的左右两端均安装有螺钉,且基板的上表面安装有模块,所述底壳的上方设置有顶壳,且顶壳的顶端一体式连接有承接壳,并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,避免安装壁面上的潮气影响底壳,方便拆装基板,提高安装结构稳定性,便于定位连接。
技术领域
本实用新型涉及IGBT器件相关技术领域,具体为一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件。
背景技术
作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT已广泛应用于工业、通信、航空航天和国防军工等传统产业领域,IGBT器件的内部含有二极管,为提高IGBT器件的性能,使用碳化硅厚膜制作二极管,具有几乎无开关损耗、更高的开关频率和开关特性几乎与温度无关等优点。
但现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时,底壳与安装壁面上直接接触,受到潮气的影响,通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内,不方便拆装基板,为此我们提出了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,用来解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,以解决上述背景技术中提出现有的具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件安装在潮湿的壁面上时,底壳与安装壁面上直接接触,受到潮气的影响,通过粘贴或者焊接的方式将基板固定在安装腔内,不方便拆装基板的问题。
本实用新型是这样实现的:一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳,所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板,且固定板的内部开设有螺孔,所述底壳的内部下表面设置有稳定壳,且稳定壳的外侧面连接有橡胶环,所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板,且散热板的内侧设置有导热硅胶,并且导热硅胶的内侧设置有基板,所述基板的左右两端均安装有螺钉,且基板的上表面安装有模块,并且模块的上方安装有碳化硅二极管,所述底壳的上方设置有顶壳,且顶壳的顶端一体式连接有承接壳,并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。
本实用新型还提供所述底壳的顶端开设有安装槽,且安装槽的横截面呈“回”字型结构。
本实用新型还提供所述底壳的底端贯穿有散热板,且固定板的下表面高度低于散热板的下表面高度。
本实用新型还提供所述橡胶环的外侧面与底壳的内壁紧密贴合,且橡胶环与稳定壳的连接方式为粘贴连接。
本实用新型还提供所述散热板的顶端纵截面呈“凹”字型结构,且散热板通过螺钉与基板固定连接。
本实用新型还提供所述顶壳与底壳的连接方式为卡槽连接,且顶壳顶端一体式连接的承接壳的下表面与碳化硅二极管的上表面贴合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件,避免安装壁面上的潮气影响底壳,方便拆装基板,提高安装结构稳定性,便于定位连接;
1、设置有底壳和固定板,固定板的下表面高度均低于散热板和底壳的下表面高度,通过固定板将底壳固定在安装壁面上时,安装壁面与底壳之间产生间隙,给予散热板散热空间,且避免安装壁面上的潮气影响底壳;
2、设置有底壳、稳定壳、橡胶环、散热板和基板,稳定壳的内侧面与包裹基板的散热板紧密贴合,且稳定壳外侧粘贴连接的橡胶环的外侧面与底壳的内壁紧密贴合,并且承接壳的下表面与基板上的模块的上表面贴合,便于基板和模块定位在底壳和顶壳之间,方便拆装基板,提高安装结构稳定性;
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