[实用新型]一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件有效
| 申请号： | 202021803261.4 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN212648230U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;严丽红;辛藤 | 申请（专利权）人： | 张家港迪源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/16;H01L23/00;H01L29/739;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 碳化硅 性能 igbt 器件 | ||
1.一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳(1)、导热硅胶(7)、基板(8)、模块(10)、顶壳(11)和承接壳(12)，其特征在于：所述底壳(1)的外侧面左右两端均焊接有固定板(2)，且固定板(2)的内部开设有螺孔(3)，所述底壳(1)的内部下表面设置有稳定壳(4)，且稳定壳(4)的外侧面连接有橡胶环(5)，所述底壳(1)的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板(6)，且散热板(6)的内侧设置有导热硅胶(7)，并且导热硅胶(7)的内侧设置有基板(8)，所述基板(8)的左右两端均安装有螺钉(9)，且基板(8)的上表面安装有模块(10)，并且模块(10)的上方安装有碳化硅二极管(15)，所述底壳(1)的上方设置有顶壳(11)，且顶壳(11)的顶端一体式连接有承接壳(12)，并且顶壳(11)的内部左右两端均固定安装有防尘网(13)。
2.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：所述底壳(1)的顶端开设有安装槽(14)，且安装槽(14)的横截面呈“回”字型结构。
3.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：所述底壳(1)的底端贯穿有散热板(6)，且固定板(2)的下表面高度低于散热板(6)的下表面高度。
4.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：所述橡胶环(5)的外侧面与底壳(1)的内壁紧密贴合，且橡胶环(5)与稳定壳(4)的连接方式为粘贴连接。
5.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：所述散热板(6)的顶端纵截面呈“凹”字型结构，且散热板(6)通过螺钉(9)与基板(8)固定连接。
6.如权利要求1所述的一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，其特征在于：所述顶壳(11)与底壳(1)的连接方式为卡槽连接，且顶壳(11)顶端一体式连接的承接壳(12)的下表面与碳化硅二极管(15)的上表面贴合。
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