[实用新型]光刻对准标记有效

专利信息
申请号: 202021781859.8 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN212392242U 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 王哲忠;叶峻玮 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/027
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;陈敏
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 光刻 对准 标记
【说明书】:

实用新型公开了一种光刻对准标记,通过设置位于衬底上的前层结构,该前层结构中形成有沿第一方向相互平行且间隔排列的第一对准标记;位于前层结构上的覆盖结构,该覆盖结构中形成有多个沿第二方向相互平行的条形开口,其中,第一方向与第二方向不同,条形开口的延伸方向与第一对准标记的延伸方向呈夹角,且条形开口与第一对准标记部分重叠,以使得条形开口与第一对准标记的重叠部分作为光刻对准标记。通过设置与第一对准标记延伸方向呈夹角的多个、较小开口宽度的条形开口,可以有效避免后制程中在光刻对准区域上沉积材料层形成凹陷,避免化学机械研磨中对对准标记的损坏,以及滤除非检测方向上的信号干扰。

技术领域

本实用新型涉及光刻技术领域,尤其涉及一种光刻对准标记。

背景技术

在半导体制造工艺中,通常会利用光刻对准标记实现各版图层之间的对准。在现有技术中,可以在晶圆的特定区域形成一系列凹槽作为对准标记,利用凹槽的阶梯高度差引起的反射光程差来完成对准。

当在包含对准标记的晶圆上沉积新的版图层时,由于沉积层数的增加或沉积版图层对信号的遮挡较强,会造成对准信号不明显或解析强度较低,无法准确辨识对准标记信号。对于此,现有方法中,会在对准标记所在区域的覆盖层中形成较大的开口,以暴露下层的对准标记。但该方法在后续制程中沉积材料层以及对沉积的材料层进行机械研磨时,较大的开口会使在对准标记区域上沉积的材料层出现凹陷并且由化学机械研磨的蝶形效应还可能引起对准标记损坏,对准出现偏差,从而无法进行精确的对准。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:如何避免对准标记被损坏,提高对准精确度的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种光刻对准标记,其包括:

位于衬底上的前层结构,所述前层结构中形成有沿第一方向相互平行且间隔排列的第一对准标记;

位于所述前层结构上的覆盖结构,所述覆盖结构中形成有多个沿第二方向相互平行的条形开口,其中,所述第一方向与所述第二方向不同,所述条形开口的延伸方向与所述第一对准标记的延伸方向呈夹角,且所述条形开口与所述第一对准标记部分重叠,以使得所述条形开口与所述第一对准标记的重叠部分作为光刻对准标记。

可选的,所述条形开口的延伸方向与所述第一对准标记的延伸方向呈夹角,包括:所述条形开口的延伸方向与所述第一对准标记的延伸方向垂直。

可选的,所述多个沿第二方向相互平行的条形开口,包括:在所述第一对准标记的延伸方向上开口宽度相同的多个相互平行的条形开口。

可选的,所述多个沿第二方向相互平行的条形开口,包括:在所述第一对准标记的延伸方向上开口宽度不相同的多个相互平行的条形开口。

可选的,所述覆盖结构包括高反射层。

可选的,所述高反射层包括多晶硅层或高反射率金属层。

与现有技术相比,上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果:

应用本实用新型的光刻对准标记,通过设置位于衬底上的前层结构10,该前层结构10中形成有沿第一方向相互平行且间隔排列的第一对准标记11;位于前层结构10上的覆盖结构12,该覆盖结构12中形成有多个沿第二方向相互平行的条形开口13,其中,第一方向与第二方向不同,条形开口13的延伸方向与第一对准标记11的延伸方向呈夹角,且条形开口13与第一对准标记11部分重叠,以使得条形开口13与第一对准标记11的重叠部分作为光刻对准标记。通过设置与第一对准标记11延伸方向呈夹角的多个、较小开口宽度的条形开口13,可以有效避免后制程中在光刻对准区域上沉积材料层形成凹陷,同时可以避免化学机械研磨中对对准标记的损坏,此外,条形开口13与第一对准标记11呈夹角且部分重叠,还可以滤除非检测方向上的信号干扰,从而有效提高了对准标记的可靠性以及对准的精确度。

附图说明

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