[实用新型]一种激光避障传感器的控制电路

权利要求书

1.一种激光避障传感器的控制电路，其特征在于，包括控制芯片、光耦电路、电源转换电路、数据收发电路和多个激光测距芯片；

所述电源转换电路配置为向控制芯片、光耦电路、数据收发电路、多个激光测距芯片供电；所述电源转换电路包括第一级降压电路和第二级降压电路；其中，第一级降压电路配置为接收24V电压，经第一级降压电路降压后输出5V电压；第二级降压电路配置为接收5V电压，经第二级降压电路降压后输出3.3V电压；

所述控制芯片配置为与光耦电路、数据收发电路、多个激光测距芯片连接；所述数据收发电路配置为与控制芯片进行数据传输；所述激光测距芯片配置为向控制芯片发送信号；

所述激光测距芯片包括GND引脚、XSHUT引脚、AVSS引脚、AVDD引脚、SCL引脚、SDA引脚、DNC引脚和GPIO引脚；其中，激光测距芯片的GND引脚、AVSS引脚均接地，XSHUT引脚通过上拉电阻与3.3V电压连接，且XSHUT引脚与控制芯片引脚连接；AVDD引脚接3.3V电压；SCL引脚、SDA引脚通过上拉电阻与3.3V电压连接，且SCL引脚、SDA引脚均与控制芯片引脚连接。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制芯片采用单片机，单片机的型号为STM32F401RET6。

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述激光测距芯片具有七个，激光测距芯片的型号为VL53L0。

4.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第一级降压电路至少包括降压芯片U6，二极管D2、D3，电解电容EC1、EC2，电容C1、C2、C3，电阻R1、R2，磁环电感L4；所述降压芯片U6包括两个NC引脚、两个GND引脚、VIN引脚、BOOT引脚、PH引脚、VSENSE引脚、ENA引脚；其中，两个NC引脚和ENA引脚悬空，两个GND引脚接地；二极管D2正极与24V电源连接，二极管D2负极接降压芯片U6的VIN引脚；电解电容EC1正极接二极管D2负极，电解电容EC1负极接地；电容C1一端接二极管D2负极，另一端接地；降压芯片U6的BOOT引脚接电容C3，电容C3另一端分别接二极管D3负极和磁环电感L4，磁环电感L4另一端接电阻R1，二极管D3正极接地；电阻R1与电阻R2串联，电阻R2另一端接地；降压芯片U6的VSENSE引脚连接在电阻R1与R2的连接线路上；电解电容EC2与电容C2并联，且电解电容EC2的正极与电阻R1、磁环电感L4连接，电容C2一端接地，电容C2另一端引线作为5V电压的输出端使用。

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述降压芯片U6的型号为TPS5430或TPS5450；所述二极管D2的型号为SS310，二极管D3的型号为B340A-E3-61T。

6.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第二级降压电路至少包括稳压器芯片U4、电解电容EC3和电容C4；稳压器芯片U4包括VIN引脚、VOUT引脚和GND引脚；其中，稳压器芯片U4的GND引脚接地，VOUT引脚接电解电容EC3正极，电解电容EC3负极接地，且VOUT引脚引线作为3.3V电压的输出端使用；稳压器芯片U4的VIN引脚用于接收5V电压；电容C4并联在电解电容EC3两端。

7.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述光耦电路包括光耦芯片IC3，电阻R15、R16、R17、R18；所述光耦芯片集成有四个光电耦合器；四个光电耦合器的二极管正极分别接电阻R15、R16、R17、R18，电阻R15、R16、R17、R18的另一端接3.3V电压；四个光电耦合器的发射极接地；其中两个光电耦合器的二极管负极作为输出端OUT1、OUT2与控制芯片的引脚连接，该两个光电耦合器的集电极作为输出端OUT1_O、OUT2_O与接线端子连接，供外部设备连接；余下两个光电耦合器的集电极作为输入端IN1、IN2与控制芯片引脚连接，该两个光电耦合器的集电极作为输出端IN1_O、IN2_O与接线端子连接。

8.根据权利要求7所述的控制电路，其特征在于，所述光耦芯片IC3的型号为TLP281-4。