[实用新型]热电分离的基板结构及封装结构

说明书

本实用新型公开了一种热电分离的基板结构及封装结构，包括：铜基板、走线层、绝缘层、芯片焊盘、正极焊盘和负极焊盘，其中，所述芯片焊盘和所述负极焊盘与所述铜基板为一体化结构，所述芯片焊盘用于固定安装芯片本体；绝缘层设置于铜基板朝向焊盘的一侧；所述走线层设置于绝缘层背离铜基板的一侧，走线层形成有走线线路和所述正极焊盘，所述走线线路通过键合金线与所述芯片本体电连接。本实用新型实施例通过设计热电分离的基板结构，以使得芯片本体产生的热量及时通过铜基板实现散热，同时不影响芯片上电使用，有利于提高兼容性，简化对封装测试设备的硬件要求，提高散热能力，提升芯片测试效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种热电分离的基板结构及封装结构。

背景技术

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是一种沿垂直于顶面方向发射激光的半导体器件，根据芯片制造工艺要求，需要对VCSEL芯片进行模块化封装、性能测试及老化测试。

VCSEL芯片属于面射型激光芯片，其激光发射方向不同于边射型激光芯片，导致VCSEL芯片的性能及老化测试过程与边射型激光芯片的性能及老化测试过程存在差异，现有的芯片封装结构散热效果较差，且焊盘排布设计一般只支持单一芯片封装，兼容性差，无法同时满足边射型激光芯片和面射型激光芯片封装测试，在对常规芯片封装结构进行封装、性能测试及老化测试时，每个工艺流程均需要配置专业设备进行辅助，测试效率低，测试成本高。

实用新型内容

本实用新型提供一种热电分离的基板结构，解决了现有的封装结构兼容性及散热效果差的问题，有利于提高散热性能，提高封测兼容性。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种热电分离的基板结构，包括：铜基板、走线层、绝缘层、芯片焊盘、正极焊盘和负极焊盘，其中，所述芯片焊盘和所述负极焊盘与所述铜基板为一体化结构，所述芯片焊盘用于固定安装芯片本体；所述绝缘层设置于所述铜基板朝向所述芯片焊盘及所述负极焊盘的一侧；所述走线层设置于所述绝缘层背离所述铜基板的一侧，所述走线层形成有走线线路和所述正极焊盘，所述走线线路通过键合金线与所述芯片本体电连接。

可选地，所述热电分离的基板结构还包括散热底座，所述散热底座设置于所述铜基板背离所述走线层的一侧，所述散热底座上设有用于与所述铜基板热传导接触的导热介质。

可选地，所述热电分离的基板结构还包括形成于所述走线层的走线金属镀层，所述走线金属镀层呈半包围结构设置于所述芯片焊盘周围，所述走线金属镀层通过键合金线与所述芯片本体电连接。

可选地，所述热电分离的基板结构还包括阻焊油墨层，所述阻焊油墨层涂覆于所述铜基板上的非走线金属镀层区域及非焊盘区域。

可选地，所述铜基板设有至少两个定位通孔，所述定位通孔用于固定安装所述铜基板。

可选地，所述铜基板采用中心对称型结构。

可选地，所述铜基板具有第一面积S1，所述芯片焊盘具有第二面积S2，所述第一面积S1和所述第二面积S2满足：S1≥2*S2。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种封装结构，包括芯片本体及上述热电分离的基板结构。

可选地，所述芯片本体包括激光芯片。