[实用新型]热电分离的基板结构及封装结构

权利要求书

1.一种热电分离的基板结构，其特征在于，包括：铜基板、走线层、绝缘层、芯片焊盘、正极焊盘和负极焊盘，其中，

所述芯片焊盘和所述负极焊盘与所述铜基板为一体化结构，所述芯片焊盘用于固定安装芯片本体；

所述绝缘层设置于所述铜基板朝向所述芯片焊盘及所述负极焊盘的一侧；

所述走线层设置于所述绝缘层背离所述铜基板的一侧，所述走线层形成有走线线路和所述正极焊盘，所述走线线路通过键合金线与所述芯片本体电连接。

2.根据权利要求1所述的热电分离的基板结构，其特征在于，还包括散热底座，所述散热底座设置于所述铜基板背离所述走线层的一侧，所述散热底座上设有用于与所述铜基板热传导接触的导热介质。

3.根据权利要求1所述的热电分离的基板结构，其特征在于，还包括形成于所述走线层的走线金属镀层，所述走线金属镀层呈半包围结构设置于所述芯片焊盘周围，所述走线金属镀层通过键合金线与所述芯片本体电连接。

4.根据权利要求3所述的热电分离的基板结构，其特征在于，还包括阻焊油墨层，所述阻焊油墨层涂覆于所述铜基板上的非走线金属镀层区域及非焊盘区域。

5.根据权利要求1-4任一项所述的热电分离的基板结构，其特征在于，所述铜基板设有至少两个定位通孔，所述定位通孔用于固定安装所述铜基板。

6.根据权利要求1-4任一项所述的热电分离的基板结构，其特征在于，所述铜基板采用中心对称型结构。

7.根据权利要求1-4任一项所述的热电分离的基板结构，其特征在于，所述铜基板具有第一面积S1，所述芯片焊盘具有第二面积S2，所述第一面积S1和所述第二面积S2满足：S1≥2*S2。

8.一种封装结构，其特征在于，包括芯片本体及权利要求1-7任一项所述的热电分离的基板结构。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述芯片本体包括激光芯片。