[实用新型]光刻设备

说明书

本实用新型公开一种光刻设备，用以在一转印滚轮的外表面曝光，光刻设备包括具有一准直焦点的一准直透镜、具有一校正焦点的一校正透镜、具有一汇聚焦点的一汇聚透镜、一曝光装置、以及一分辨率光罩。校正透镜设置在准直透镜相对远离准直焦点的一侧；汇聚透镜设置在校正透镜相对远离校正焦点的一侧；分辨率光罩设置在准直透镜与校正透镜之间。曝光装置用来投射一全息投影图像。分辨率光罩具有多个微结构，多个微结构用来使部分通过分辨率光罩的全息投影图像的光线从校正焦点射出，并依次通过校正透镜与汇聚透镜，最后集中投影在转印滚轮的外表面。借由“分辨率光罩具有多个微结构”的技术方案，光刻设备投影出来的影像的分辨率能被有效地提升。

技术领域

本实用新型涉及一种光刻设备，特别是涉及一种全息投影光刻设备。

背景技术

现有的光刻设备在对一转印滚轮的外表面投影时，经常因为投影出来的影像的分辨率不高，使得最终形成在所述转印滚轮的所述外表面的图案微结构不甚清晰。故，如何通过对光刻设备的改良，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

实用新型内容

本实用新型实施例针对现有技术的不足提供一种光刻设备，所述光刻设备能有效地改善现有光刻设备所可能产生的缺陷。

本实用新型的其中一个实施例公开一种光刻设备，所述光刻设备用以在一转印滚轮的外表面曝光，其包括：一准直透镜，具有一准直焦点；一校正透镜，具有一校正焦点，并且所述校正透镜设置在所述准直透镜相对远离所述准直焦点的一侧；一汇聚透镜，具有一汇聚焦点，并且所述汇聚透镜设置在所述校正透镜相对远离所述校正焦点的一侧；一曝光装置，设置在所述准直焦点并且包含多个发光二极管光源，多个所述发光二极管光源用来发出波长范围为200纳米至400纳米(nm)的紫外光；其中，所述曝光装置用来投射一全息投影图像，所述全息投影图像能依次通过所述准直透镜、所述校正透镜、及所述汇聚透镜并曝光在所述转印滚轮的所述外表面；以及一分辨率光罩，用来提升照射在所述转印滚轮的所述外表面的所述全息投影图像的分辨率；其中，所述分辨率光罩设置在所述准直透镜与所述校正透镜之间，并且所述分辨率光罩具有多个微结构，多个所述微结构用来使部分通过所述分辨率光罩的所述全息投影图像的光线从所述校正焦点射出，并依次通过所述校正透镜与所述汇聚透镜，最后集中投影在所述转印滚轮的所述外表面。

优选地，所述光刻设备进一步包含一自动对焦装置，所述自动对焦装置与所述校正透镜呈间隔地设置，并且所述自动对焦装置用来调整所述校正透镜与所述分辨率光罩之间的距离，使所述分辨率光罩位于所述校正焦点。

优选地，所述光刻设备进一步包含一旋转台，安装在所述分辨率光罩并且能用来旋转所述分辨率光罩，使曝光在所述转印滚轮的所述外表面的所述全息投影图像方向改变。

优选地，所述旋转台安装在所述分辨率光罩相对远离所述准直透镜的一侧，并且所述旋转台包含一角度标示器，所述角度标示器可用来精准调整所述旋转台旋转所述分辨率光罩的角度。

优选地，所述校正透镜及所述汇聚透镜各为双凸透镜。

优选地，所述校正透镜具有相对于所述校正焦点的一校正焦距，而所述汇聚透镜具有相对于所述汇聚焦点的一汇聚焦距；其中，所述校正焦距大于所述汇聚焦距。

优选地，所述校正透镜与所述汇聚透镜之间的距离等于所述校正焦距与所述汇聚焦距的总和。

优选地，所述曝光装置的多个所述发光二极管光源用来发出波长为365纳米(nm)的紫外光。

优选地，所述分辨率光罩的多个所述微结构各呈长条状，并且任两个所述微结构之间的距离相同。

优选地，所述分辨率光罩设置在所述校正透镜的所述校正焦点上。