[实用新型]晶圆检测设备有效
申请号: | 202021751111.3 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN212845981U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 王伟;张淑荣 | 申请(专利权)人: | 昆山瑞伯恩精密机械有限公司 |
主分类号: | G01V8/10 | 分类号: | G01V8/10;G01V1/00 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 郭磊 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 设备 | ||
本实用新型公开了一种晶圆检测设备,包括:底架和设置在所述底架上的至少一个检测装置;所述底架上设有至少一个和所述检测装置对应设置的料盒放置区域;所述检测装置包括固定在所述底架上方的直线驱动装置固定座、固定在所述直线驱动装置固定座上的直线驱动装置、被所述直线驱动装置驱动的连接架,所述连接架的两端分别固定线对射传感器发射单元和线对射传感器接收单元;其中,所述直线驱动装置驱动所述连接架朝着所述料盒放置区域的方向直线运动。本实用新型的有益效果:利用线对射传感器发射单元和线对射传感器接收单元配合检查是否漏放晶圆,效率高。
技术领域
本实用新型涉及晶圆检测领域,具体涉及一种晶圆检测设备。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
传统技术存在以下技术问题:
晶圆生产出来后,通常放置在料盒中,料盒分成多层,每层都放置晶圆。将晶圆放到多层的料盒里面后,需要进行检测,看是否漏放。目前,都是人工进行漏放检测,效率低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种晶圆检测设备,料盒漏放检测效率高。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆检测设备,包括:底架和设置在所述底架上的至少一个检测装置;所述底架上设有至少一个和所述检测装置对应设置的料盒放置区域;
所述检测装置包括固定在所述底架上方的直线驱动装置固定座、固定在所述直线驱动装置固定座上的直线驱动装置、被所述直线驱动装置驱动的连接架,所述连接架的两端分别固定线对射传感器发射单元和线对射传感器接收单元;其中,所述直线驱动装置驱动所述连接架朝着所述料盒放置区域的方向直线运动。
本实用新型的有益效果:
利用线对射传感器发射单元和线对射传感器接收单元配合检查是否漏放晶圆,效率高。
在其中一个实施例中,所述连接架包括横杆、第一竖杆和第二竖杆;所述第一竖杆固定在所述横杆的一端,所述第二竖杆固定在所述横杆的另一端;所述横杆、第一竖杆和第二竖杆三者成匚型,所述第一竖杆远离所述横杆的一端固定所述线对射传感器发射单元,所述第二竖杆远离所述横杆的一端固定所述线对射传感器接收单元。
在其中一个实施例中,所述横杆平行于所述料盒放置区域,所述第一竖杆垂直于所述料盒放置区域,所述第二竖杆垂直于所述料盒放置区域。
在其中一个实施例中,所述检测装置的数量为两个,所述料盒放置区域的数量对应设置两个,两个所述检测装置对称设置,两个所述料盒放置区域对称设置。
在其中一个实施例中,所述线对射传感器发射单元包括透射镜片、激光器模组、激光驱动电路板以及发射模块外壳;所述激光器模组与所述激光驱动电路板电连接,所述透射镜片设置于所述激光器模组的输出端;所述发射模块外壳内装入所述透射镜片、所述激光器模组和所述激光驱动电路板。
在其中一个实施例中,所述线对射传感器接收单元包括滤光镜片、接收光敏器件、接收信号处理电路板以及接收模块外壳,所述接收光敏器件与所述接收信号处理电路板电连接,所述滤光镜片设置于所述接收光敏器件的输入端;所述接收模块外壳内装入所述滤光镜片、所述接收光敏器件和所述接收信号处理电路板。
在其中一个实施例中,所述直线驱动装置是气缸、直线电机或者油缸。
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