[实用新型]一种印章及压印装置有效

专利信息
申请号: 202021696814.0 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN213035515U 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 李卫士;雷玫;徐甜;冯晓甜;李伟龙 申请(专利权)人: 华天慧创科技(西安)有限公司
主分类号: B41K1/02 分类号: B41K1/02;B41K1/38;B41K1/36;G03F7/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 马贵香
地址: 710018 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 印章 压印 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种印章及压印装置,该印章下表面上涂覆的胶层,不再将整个印章的下表面涂覆上胶层,而是采用间隔填充胶层的手段,相隔列填充,或相隔行填充,使得印章在压印过程中,印章和基底之间没有过多的胶体,从原材料和压印的一开始就减少了残留层的厚度,减少了压印过程需要克服的胶体存在的阻力,进一步的,大大的减少了大面积压印时需要克服的分子间阻力以及胶水本身在基板上扩散的阻力。从而实现超薄压印。

【技术领域】

本实用新型涉及紫外纳米压印领域,具体为一种印章及压印装置。

【背景技术】

紫外纳米压印广泛地应用于图形转移的各个领域,实现不同形状、大小和结构的简单复制。纳米级别的结构不需要复杂和昂贵的光学元件即可实现,成为 TOF、diffuser、lens等光学元器件新型替代作业方式。参见图1为现有技术中紫外纳米压印技术的实施方法,首先将胶层涂覆在工作印章上,然后将涂覆有胶层的工作印章和基底接触,完成压印过程。随着市场对整体模组厚度越来越薄的要求,硬基板的压印方式存在残留层厚度的限制,针对现有半导体8吋及8吋以上的wafer,由于压印时将残留层压印至一定的厚度,需要克服胶水本身分子间力以及流动时受到的阻力,尤其是现有面型胶材料的粘度普遍在200mPa·s(23℃) 以上,如果压印力超过一定的数值,面型会损伤或变形,所以,在保证压印力在一定的范围内的情况下,如何将残留层的厚度控制在15um以内,已经成为一种挑战,所以,如何使用透明硬基板的压印方式,在8吋及8吋以上的wafer上压印出超薄厚度的面型,就成为了当下需要解决的关键问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种印章及压印装置,该装置用于解决在保证压印力满足压印要求的情况下,降低残留层的厚度。

为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案予以实现:

一种印章,所述印章的下表面上纵横排列有若干个面型孔,所述面型孔为向印章内部凹陷的圆弧面;

列的面型孔相隔一列填充有胶体,行的面型孔相隔一行填充有胶体;

填充在面型孔中的胶体有部分溢出。

本实用新型的进一步改进在于:

优选的,所述溢出面型孔的部分胶体为圆形或矩形。

优选的,所述胶体为环氧树脂类紫外固化胶。

一种压印装置,包括上述的印章和基底,印章在基底的上方,基底上有残留层。

优选的,所述残留层的厚度为小于15μm。

优选的,所述残留层的厚度为3-5μm。

优选的,所述残留层上有阵列的面型。

优选的,面型为凸出的弧面,所述面型的弧度和面型孔相匹配。

优选的,所述基底为玻璃材质。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型公开了一种印章,该印章下表面上涂覆的胶层,不再将整个印章的下表面涂覆上胶层,而是采用间隔填充胶层的手段,相隔列填充,或相隔行填充,使得印章在压印过程中,印章和基底之间没有过多的胶体,从原材料和压印的一开始就减少了残留层的厚度,减少了压印过程需要克服的胶体存在的阻力,进一步的,大大的减少了大面积压印时需要克服的分子间阻力以及胶水本身在基板上扩散的阻力。从而实现超薄压印。

进一步的,胶体在面型孔外部之间的部分为矩形或圆形,使得胶体能够均匀的向两边扩算,弥补两边没有填充胶体的面型孔。

进一步的,胶体为环氧树脂类紫外固化胶,满足紫外固化的需求。

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