[实用新型]一种过压过流保护电路有效

专利信息
申请号: 202021683236.7 申请日: 2020-08-13
公开(公告)号: CN212908974U 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 彭小东;陈小军;黄章良;鲁星华 申请(专利权)人: 广州鲁邦通物联网科技有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02H3/087;H02H3/10;H02H3/20
代理公司: 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 代理人: 龚元元
地址: 510653 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种过压过流保护电路,包括用于与外部电源连接的电源接头(P1)和用于电源输出的保护电路输出端(VOUT),其特征在于,还包括保险丝(F1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)和用于对电源输出进行控制的输出控制电路(20),所述电源接头(P1)的正极端依次通过保险丝(F1)、第一电阻(R1)、第一二极管(D1)和输出控制电路(20)与保护电路输出端(VOUT)连接,所述电源接头(P1)的正极端还与一用过对电源接头(P1)的正极端进行检测的第一检测电路(10)连接,所述第一电阻(R1)和第一二极管(D1)的连接端与一用于对第一电阻(R1)和第一二极管(D1)的连接端进行检测的第二检测电路(30)连接,所述第一检测电路(10)和第二检测电路(30)分别与一用于对第一检测电路(10)和第二检测电路(30)的检测信号进行实时比较并且输出控制信号的比较控制电路(40)连接,所述比较控制电路(40)与输出控制电路(20)连接从而形成进行实时输出控制的过压过流保护电路。

2.根据权利要求1所述的一种过压过流保护电路,其特征在于,所述第一检测电路(10)设置有第一运算放大器(U1),所述第一运算放大器(U1)的同相输入端通过第六电阻(R6)与电源接头(P1)的正极端连接,所述第一运算放大器(U1)的输出端依次通过第八电阻(R8)和用于检测阈值设定的第一可调节电阻(R10)与地线(GND)连接,所述第八电阻(R8)与第一可调节电阻(R10)的连接端为第一检测输出端(OP_OUT2),所述第一检测输出端(OP_OUT2)与比较控制电路(40)连接。

3.根据权利要求2所述的一种过压过流保护电路,其特征在于,所述第二检测电路(30)设置有第二运算放大器(U2),所述第二运算放大器(U2)的同相输入端通过第十七电阻(R17)与第一电阻(R1)和第一二极管(D1)的连接端连接,所述第一运算放大器(U1)的输出端依次通过第十八电阻(R18)和用于检测阈值设定的第二可调节电阻(R21)与地线(GND)连接,所述第十八电阻(R18)与第二可调节电阻(R21)的连接端为第二检测输出端(OP_OUT1),第二检测输出端(OP_OUT1)与比较控制电路(40)连接。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种过压过流保护电路,其特征在于,所述比较控制电路(40)设置有同相输入端与第二检测电路(30)连接并且反相输入端与第一检测电路(10)连接的比较器(U3),所述比较器(U3)的输出端通过第十九电阻(R19)与第三MOS管(Q3)的栅极连接并且比较器(U3)的输出端还通过第二十二电阻(R22)与地线(GND)连接,所述第三MOS管(Q3)的栅极还通过第三电容(C3)与地线(GND)连接,所述第三MOS管(Q3)的源极与地线(GND)连接并且还通过第四瞬态二极管(D4)与第三MOS管(Q3)的漏极连接,第四瞬态二极管(D4)的正极与第三MOS管(Q3)的源极连接,所述第三MOS管(Q3)的漏极通过第十五电阻(R15)与第一二极管(D1)与输出控制电路(20)的连接端连接,所述第三MOS管(Q3)的漏极为比较输出端并且与输出控制电路(20)连接。

5.根据权利要求1所述的一种过压过流保护电路,其特征在于,所述输出控制电路(20)设置有第一MOS管(Q1)和第二三极管(Q2),所述第一MOS管(Q1)的漏极与保护电路输出端(VOUT)连接,所述第一MOS管(Q1)的源极与第一二极管(D1)连接,所述第一MOS管(Q1)的栅极与第二三极管(Q2)的集电极连接并且第一MOS管(Q1)的栅极通过第三电阻(R3)与第一MOS管(Q1)的源极连接,所述第二三极管(Q2)的发射极通过第四电阻(R4)与第一MOS管(Q1)的源极连接,所述第二三极管(Q2)的集电极还通过第十一电阻(R11)与地线(GND)连接,所述第二三极管(Q2)的基极通过第七电阻(R7)与第三瞬态二极管(D3)与地线(GND)连接,所述第三瞬态二极管(D3)的正极端与地线(GND)连接,所述第七电阻(R7)与第三瞬态二极管(D3)的连接端与比较控制电路(40)连接并且还通过第五电阻(R5)与第一MOS管(Q1)的源极连接。

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