[实用新型]类单晶生长炉

说明书

本实用新型公开了一种类单晶生长炉，包括坩埚、盖板和挡气板。坩埚具有收容硅料的腔室，盖板盖设于坩埚，挡气板设于所述坩埚内，物料位于挡气板和坩埚底壁之间，挡气板的边缘具有导向部，导向部适于将气体从导向部的下方引导至导向部的上方。根据本实用新型的类单晶生长炉，通过在坩埚内设置具有导向部的挡气板，由此可以将坩埚内的气流导引至腔室的上部空间，从而可以避免杂质停留在籽晶的表面，从而可以改善籽晶的质量。

技术领域

本实用新型涉及类单晶生长设备技术领域，尤其是涉及一种类单晶生长炉。

背景技术

类单晶的生长需要在对称的热场结构中，对称的热场结构有一个明显的特点就是熔体流动性会弱一些。在铸造过程中，干净的气体流到坩埚底面再向上流动时会携带杂质通过籽晶间的缝隙向上传递，其中大部分杂质沉积在籽晶间的缝隙中，有一部分随着气体向上流动进入上面的硅料中。

但是类单晶的对称性热场结构，熔体流动性较弱，杂质很难通过分凝排到硅锭头部，而留在了硅锭中，从而检测到黑色的杂质点。而这一过程只会发生在熔体还没有出现以前的阶段，因为一旦熔体出现了，顶部会覆盖一层熔体，熔体阻挡气体，气体是无法进入到坩埚底部的。

又由于坩埚底部的涂层内部含有较多的杂质，同时气体本身也会携带杂质，气体激起涂层杂质的“浮尘”，随着气体向上流动，在高温下与硅蒸气反应，形成氮化硅，碳化硅，氧化硅及其他复合氧化物等，沉积在籽晶缝隙中或者硅料上，就会显现出不同的彩色薄膜，进而影响类单晶的品质。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出了一种类单晶生长炉，所述类单晶生长炉具有结构简单、类单晶纯度高的优点。

根据本实用新型实施例的类单晶生长炉，包括：坩埚，所述坩埚具有收容硅料的腔室；盖板，所述盖板盖设于所述坩埚；挡气板，所述挡气板设于所述坩埚内，所述物料位于所述挡气板和所述坩埚底壁之间，所述挡气板的边缘具有导向部，所述导向部适于将气体引导至所述导向部的上方。

根据本实用新型实施例的类单晶生长炉，通过在坩埚内设置具有导向部的挡气板，由此可以将坩埚内的气流导引至腔室的上部空间，从而可以避免杂质停留在籽晶的表面，从而可以改善籽晶的质量。

在一些实施例中，所述挡气板的边缘朝向所述盖板的方向翻折以构造出所述导向部。

在一些实施例中，所述导向部的厚度为5-15mm。

在一些实施例中，所述导向部在上下方向上的垂直高度为30mm。

在一些实施例中，所述挡气板包括主体部，所述主体部与所述坩埚底壁平行，所述导向部与所述主体部的边缘连接，所述导向部绕设于所述主体部的外周，所述导向部呈环形。

在一些实施例中，所述主体部在水平方向上的最大宽度为1200-1300mm。

在一些实施例中，所述主体部呈多边形或圆形。

在一些实施例中，所述挡气板为氮化硅板。

在一些实施例中，所述坩埚周壁的壁面和所述坩埚底壁的外壁面均设有石墨护板。

在一些实施例中，所述盖板为石墨盖板。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型实施例的类单晶生长炉的结构示意图。

附图标记：

类单晶生长炉100，

坩埚110，腔室111，周壁112，底壁113，

盖板120，