[实用新型]类单晶生长炉有效
申请号: | 202021648587.4 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN213327934U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 王全志 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 么立双 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 类单晶 生长 | ||
1.一种类单晶生长炉,其特征在于,包括:
坩埚,所述坩埚具有收容物料的腔室;
盖板,所述盖板盖设于所述坩埚;
挡气板,所述挡气板设于所述坩埚内,所述物料位于所述挡气板和所述坩埚底壁之间,所述挡气板的边缘具有导向部,所述导向部适于将气体引导至所述导向部的上方。
2.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述挡气板的边缘朝向所述盖板的方向翻折以构造出所述导向部。
3.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述导向部的厚度为5-15mm。
4.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述导向部在上下方向上的垂直高度为30mm。
5.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述挡气板包括主体部,所述主体部与所述坩埚底壁平行,所述导向部与所述主体部的边缘连接,所述导向部绕设于所述主体部的外周,所述导向部呈环形。
6.根据权利要求5所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述主体部在水平方向上的最大宽度为1200-1300mm。
7.根据权利要求5所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述主体部呈多边形或圆形。
8.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述挡气板为氮化硅板。
9.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述坩埚周壁的壁面和所述坩埚底壁的外壁面均设有石墨护板。
10.根据权利要求1所述的类单晶生长炉,其特征在于,所述盖板为石墨盖板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021648587.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。