[实用新型]阵列基板及显示面板

说明书

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板。本实用新型提供的阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极、覆盖栅极和衬底基板的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的半导体层、源极和漏极，以及覆盖半导体层、源极、漏极和栅绝缘层的钝化层；其中，源极和漏极分别位于半导体层两侧，且源极与半导体层之间、漏极与半导体层之间均具有重叠区域；还包括保护层，保护层设置在钝化层上且对应位于半导体层上方，保护层至少覆盖半导体层的暴露在源极和漏极之外的区域。本实用新型提供的阵列基板能够防止半导体层的半导体特性失效，保证薄膜晶体管的显示驱动性能。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示器的显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率的显示器的需求越来越普遍，也越来越得到显示面板生产厂家的重视。薄膜晶体管(Thin-film transistor，简称TFT)是液晶显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图。如图1所示，阵列基板通常包括衬底基板以及依次层叠在衬底基板上的TFT和像素电极，其中，TFT包括设置在衬底基板上的栅极、覆盖栅极和衬底基板的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的有源岛以及覆盖有源岛和栅绝缘层的钝化层，有源岛包括半导体层和位于半导体层两侧的源极和漏极；像素电极设置在钝化层上，且通过钝化层中设置的接触孔与漏极接触。其中，半导体层的半导体特性对TFT的显示驱动性能尤为重要，因此，通过在有源岛上覆盖钝化层以对半导体层进行绝缘保护，钝化层通常采用无机氧化硅材料制作而成。

但是，由于无机氧化硅材料的脆性较大，容易在钝化层中形成裂纹，这会导致在阵列基板的后续制作工艺过程中，腐蚀性药液渗入半导体层对其进行腐蚀，进而导致半导体层特性失效引起TFT显示驱动性能失效。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板能够防止半导体层的半导体特性失效，保证薄膜晶体管的显示驱动性能。

本实用新型的一方面提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的栅极、覆盖栅极和衬底基板的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的半导体层、源极和漏极，以及覆盖半导体层、源极、漏极和栅绝缘层的钝化层；其中，源极和漏极分别位于半导体层两侧，且源极与半导体层之间、漏极与半导体层之间均具有重叠区域；还包括与栅极、半导体层、源极和漏极间隔设置的保护层，保护层设置在钝化层上且对应位于半导体层上方，保护层至少覆盖半导体层的暴露在源极和漏极之外的区域。

在一种可能的实施方式中，源极和漏极分别搭接在半导体层的两侧，半导体层的中部为暴露在源极和漏极之外的暴露部，保护层覆盖暴露部。

在一种可能的实施方式中，保护层在半导体层上的正投影与源极和漏极均具有重叠区域。

在一种可能的实施方式中，保护层与源极之间以及保护层与漏极之间的重叠区域的宽度均为3μm-5μm。

在一种可能的实施方式中，保护层的边缘超出暴露部的边缘，且保护层的边缘与暴露部的边缘之间的距离大于或等于5μm。

在一种可能的实施方式中，半导体层为金属氧化物半导体层，钝化层为非晶硅层，保护层为金属氧化物层。

在一种可能的实施方式中，钝化层包括氧化硅层。

在一种可能的实施方式中，钝化层上还设置有像素电极，像素电极与保护层间隔设置，钝化层中设有与漏极的局部区域对应的接触孔，部分像素电极伸入接触孔内与漏极接触。

在一种可能的实施方式中，像素电极和保护层均由氧化铟锡构成。

本实用新型的另一方面提供一种显示面板，该显示面板包括对向基板、液晶层和如上任一项所述的阵列基板，其中，对向基板和阵列基板相对设置，液晶层设置在对向基板和阵列基板之间。