[实用新型]阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的栅极、覆盖所述栅极和所述衬底基板的栅绝缘层、设置在所述栅绝缘层上的半导体层、源极和漏极，以及覆盖所述半导体层、源极、漏极和所述栅绝缘层的钝化层；其中，所述源极和所述漏极分别位于所述半导体层两侧，且所述源极与所述半导体层之间、所述漏极与所述半导体层之间均具有重叠区域；还包括与所述栅极、半导体层、源极和漏极间隔设置的保护层，所述保护层设置在钝化层上且对应位于所述半导体层上方，所述保护层至少覆盖所述半导体层的暴露在所述源极和所述漏极之外的区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极分别搭接在所述半导体层的两侧，所述半导体层的中部为暴露在所述源极和所述漏极之外的暴露部，所述保护层覆盖所述暴露部。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层在所述半导体层上的正投影与所述源极和所述漏极均具有重叠区域。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层与所述源极之间以及所述保护层与所述漏极之间的重叠区域的宽度均为3μm-5μm。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层的边缘超出所述暴露部的边缘，且所述保护层的边缘与所述暴露部的边缘之间的距离大于或等于5μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体层，所述钝化层为非晶硅层，所述保护层为金属氧化物层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层上还设置有像素电极，所述像素电极与所述保护层间隔设置，所述钝化层中设有与所述漏极的局部区域对应的接触孔，部分所述像素电极伸入所述接触孔内与所述漏极接触。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述保护层均由氧化铟锡构成。

10.一种显示面板，其特征在于，包括对向基板、液晶层和权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其中，所述对向基板和所述阵列基板相对设置，所述液晶层设置在所述对向基板和所述阵列基板之间。