[实用新型]感性耦合反应器

说明书

一种感性耦合反应器包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合等离子体源；所述感性耦合等离子体源包括：第一反应介质室；位于第一反应介质室上方的第二反应介质室，所述第二反应介质室的底部和所述第一反应介质室的顶部中间区域贯通，所述第二反应介质室的侧壁底部延伸至所述第一反应介质室内且高度可调；位于所述第一反应介质室侧部的下射频天线；位于所述第二反应介质室侧部的上射频天线；所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。所述感性耦合反应器能够加强对等离子分布的控制能力。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种感性耦合反应器。

背景技术

在半导体制造中，涉及多道工序，每道工序都是由一定的设备和工艺来完成的。其中，刻蚀工艺是半导体制造中一种重要的工艺，如等离子体刻蚀工艺。等离子体刻蚀工艺是利用反应气体在获得能量后产生等离子体，包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基，通过物理和化学的反应对刻蚀对象进行刻蚀。

然而，在等离子体刻蚀过程中，晶圆边缘的刻蚀条件和晶圆中心的刻蚀条件差别较大，所述刻蚀条件包括：等离子体密度分布、射频电场、温度分布等。其中等离子体密度分布是非常重要的一个刻蚀条件。例如，一般情况下，在晶圆中心区域上方分布的等离子体密度大于晶圆边缘区域上方分布的等离子体密度，且这种分布难以进行调节。

因此，需要提出一种对等离子体分布进行可控调节的感性耦合反应器，以满足需要。

发明内容

本实用新型解决的问题是提供一种感性耦合反应器，能够加强对等离子分布的控制能力。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种感性耦合反应器，包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合等离子体源；所述感性耦合等离子体源包括：第一反应介质室；位于第一反应介质室上方的第二反应介质室，所述第二反应介质室的底部和所述第一反应介质室的顶部中间区域贯通，所述第二反应介质室的侧壁底部延伸至所述第一反应介质室内且高度可调；位于所述第一反应介质室侧部的下射频天线；位于所述第二反应介质室侧部的上射频天线；所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。

可选的，所述第二反应介质室还包括承载部，所述承载部与所述第二反应介质室的侧壁固定且向第二反应介质室的侧壁外延伸，所述承载部位于所述第二反应介质室的侧壁顶端和侧壁底端之间。

可选的，所述感性耦合等离子体源还包括：密封件，所述密封件位于所述承载部和所述第一反应介质室的顶部表面之间。

可选的，所述感性耦合等离子体源还包括：位于所述承载部和所述第一反应介质室的顶部表面之间的高度控制部件，所述高度控制部件适于控制所述第二反应介质室和所述第一反应介质室的顶部表面之间的纵向距离。

可选的，所述高度控制部件为介质环，所述介质环的厚度可调。

可选的，所述感性耦合等离子体源还包括：第一密封件，所述第一密封件位于所述介质环和所述第一反应介质室的顶部表面之间；第二密封件，所述第二密封件位于所述介质环和所述承载部之间。

可选的，所述高度控制部件为弹簧。

可选的，所述感性耦合等离子体源还包括：贯穿所述第一反应介质室顶壁的第一进气通道， 所述第一进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述第一反应介质室中；位于所述第二反应介质室顶部的第二进气通道，所述第二进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述第二反应介质室中。

可选的，所述下射频天线具有第一天线终端和第二天线终端，所述上射频天线具有第三天线终端和第四天线终端；所述第一天线终端适于馈入第一射频，所述第三天线终端适于馈入第二射频，第一射频和第二射频的大小可调。