[实用新型]感性耦合反应器有效
| 申请号: | 202021506952.8 | 申请日: | 2020-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN212322965U | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
| 发明(设计)人: | 吴堃 | 申请(专利权)人: | 上海邦芯半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201500 上海市金*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感性 耦合 反应器 | ||
1.一种感性耦合反应器,其特征在于,包括:
反应腔主体;位于所述反应腔主体上方的感性耦合等离子体源;
所述感性耦合等离子体源包括:第一反应介质室;位于第一反应介质室上方的第二反应介质室,所述第二反应介质室的底部和所述第一反应介质室的顶部中间区域贯通,所述第二反应介质室的侧壁底部延伸至所述第一反应介质室内且高度可调;位于所述第一反应介质室侧部的下射频天线;位于所述第二反应介质室侧部的上射频天线;所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。
2.根据权利要求1所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述第二反应介质室还包括承载部,所述承载部与所述第二反应介质室的侧壁固定且向第二反应介质室的侧壁外延伸,所述承载部位于所述第二反应介质室的侧壁顶端和侧壁底端之间。
3.根据权利要求2所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述感性耦合等离子体源还包括:密封件,所述密封件位于所述承载部和所述第一反应介质室的顶部表面之间。
4.根据权利要求2所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述感性耦合等离子体源还包括:位于所述承载部和所述第一反应介质室的顶部表面之间的高度控制部件,所述高度控制部件适于控制所述第二反应介质室和所述第一反应介质室的顶部表面之间的纵向距离。
5.根据权利要求4所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述高度控制部件为介质环,所述介质环的厚度可调。
6.根据权利要求5所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述感性耦合等离子体源还包括:第一密封件,所述第一密封件位于所述介质环和所述第一反应介质室的顶部表面之间;第二密封件,所述第二密封件位于所述介质环和所述承载部之间。
7.根据权利要求4所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述高度控制部件为弹簧。
8.根据权利要求1或4所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述感性耦合等离子体源还包括:贯穿所述第一反应介质室顶壁的第一进气通道,所述第一进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述第一反应介质室中;位于所述第二反应介质室顶部的第二进气通道,所述第二进气通道适于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述第二反应介质室中。
9.根据权利要求1所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述下射频天线具有第一天线终端和第二天线终端,所述上射频天线具有第三天线终端和第四天线终端;所述第一天线终端适于馈入第一射频,所述第三天线终端适于馈入第二射频,第一射频和第二射频的大小可调。
10.根据权利要求9所述的感性耦合反应器,其特征在于,所述感性耦合等离子体源还包括:射频源;射频匹配器,所述射频匹配器的一端与所述射频源连接;第一功率分配器,所述第一功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接,所述第一功率分配器的另一端与所述第一天线终端连接;第二功率分配器,所述第二功率分配器的一端与所述射频匹配器的另一端连接,所述第二功率分配器的另一端与所述第三天线终端连接;第一电压平衡电容,所述第一电压平衡电容的一端与所述第二天线终端连接,所述第一电压平衡电容的另一端接地;第二电压平衡电容,所述第二电压平衡电容的一端与所述第四天线终端连接,所述第二电压平衡电容的另一端接地。
11.根据权利要求1所述的感性耦合反应器,其特征在于,还包括:位于所述反应腔主体内且位于所述第一反应介质室下方的晶圆夹持平台。
12.根据权利要求11所述的感性耦合反应器,其特征在于,还包括:位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环;位于所述射频隔离环外侧的等离子体约束环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





