[实用新型]带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器

说明书

本实用新型提供的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器，包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层；凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。与现有技术相比，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层，周边高防止边缘击穿，溅射掩膜可以使芯片两端电极正对，达到最大的电极正对面积，从而获得最大的电容量，电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题。

技术领域

本实用新型属于电容器技术领域，尤其涉及带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器。

背景技术

陶瓷电容器是最广泛用于各种电子设备的元件，近年来，随着电子元器件行业的快速发展，电子产品的尺寸和厚度整体趋向小型化，人们对电子设备的要求也越来越高，而击穿强度是瓷介电容器最主要的参数之一，它主要是由产品的材料本身(配方)决定的，不过也与它的电极形式以及包封材料等有关，尤其是当电极不对称时会造成电场不均匀，该缺陷会造成电容器耐压降低或耐压不良。

目前的陶瓷介质电容器大多数为圆板或圆片形，随着产品趋于小型化，尺寸缩小，对介质材料的要求较高，需要材料的介电常数K值比较高；生产实践中发现相当多的产品击穿失效不是本身介质材料特性差的原因造成的，相当一部分原因是工艺或者外形缺陷造成的，诸如印刷银电极时常出现正反两面电极不对称不同心、偏移造成上下电极对不正，银面有效面积偏小，电场分布不均匀。边缘效应使产品在高压条件下从边缘高压电离空气造成击穿的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器，其技术方案如下：

带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，所述陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；所述陶瓷介质瓷体正反面对应于所述一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，所述电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层；所述凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。

较佳的，所述凹槽的内侧面为斜面，该斜面与凹槽底面的夹角大于90度。

较佳的，所述陶瓷介质瓷体的外侧边缘高于所述凹槽底面。

较佳的，所述凹槽底面以及电极平面均为圆形。

较佳的，所述电极镀层为铜电极或者铜铟铬合金电极，所述斜面与凹槽底面的夹角为160度。

较佳的，所述电极镀层的厚度为0.8-1.0微米。

较佳的，所述凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起，该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。

较佳的，所述凸起的直径d为所述碟形结构的陶瓷介质芯片外径D的1/4。

本实用新型还提供一种陶瓷电容器，包括陶瓷介质芯片、电极引线和绝缘包封层，所述陶瓷介质芯片为带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型中陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层，周边高防止边缘击穿，溅射掩膜可以使芯片两端电极正对，达到最大的电极正对面积，从而获得最大的电容量，电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题(电极的对称性保证了电场均匀性，可一定程度消除边缘效应，避免产品从边缘击穿)；凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构，芯片最外侧边缘形成外侧倒角，使边缘不至于太锋利，在生产过程中不易造成边缘磕碰后崩角。