[实用新型]带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器

权利要求书

1.带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，所述陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；其特征在于：所述陶瓷介质瓷体正反面对应于所述一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，所述电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层；所述凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。

2.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述凹槽的内侧面为斜面，该斜面与凹槽底面的夹角大于90度。

3.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述陶瓷介质瓷体的外侧边缘高于所述凹槽底面。

4.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述凹槽底面以及电极平面均为圆形。

5.根据权利要求2所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述电极镀层为铜电极或者铜铟铬合金电极，所述斜面与凹槽底面的夹角为160度。

6.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述电极镀层的厚度为0.8-1.0微米。

7.根据权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起，该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。

8.根据权利要求7所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，其特征在于：所述凸起的直径d为所述碟形结构的陶瓷介质芯片外径D的1/4。

9.一种陶瓷电容器，包括陶瓷介质芯片、电极引线和绝缘包封层，其特征在于，所述陶瓷介质芯片为权利要求1所述的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片。