[实用新型]一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构有效
| 申请号： | 202021469482.2 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN212907752U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邓腾飞 | 申请（专利权）人： | 安徽蓝讯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 练兰英 |
| 地址： | 232000 安徽省淮南市寿县*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 低温 陶瓷 光电 集成 封装 结构 | ||
1.一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括多功能低温共烧陶瓷基板(1)，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板(1)包括直流功能层(2)和高频功能层(3)，所述直流功能层(2)固定安装在高频功能层(3)的顶部，所述直流功能层(2)顶部固定安装有半导体晶体(4)，所述半导体晶体(4)一侧固定安装有金线(5)，所述金线(5)固定安装有背光探测器引线(6)，所述背光探测器引线(6)一侧固定安装有背光探测器芯片(7)，所述半导体晶体(4)另一侧固定安装有激光器芯片正极引线(8)，所述激光器芯片(9)固定安装在激光器芯片正极引线(8)的一侧，所述激光器芯片(9)和背光探测器芯片(7)底部连接有卡槽(10)，所述直流功能层(2)与高频功能层(3)一侧固定设置有功能端口(11)。
2.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述背光探测器引线(6)与直流功能层(2)一端交接处固定设置有第一直流信号输入端口(12)，所述激光器芯片正极引线(8)与直流功能层(2)一端交接处固定设置有第二直流信号输入端口(13)。
3.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述直流功能层(2)的功能端口(11)为高频信号输入端口(1101)，所述高频信号输入端口(1101)与激光器芯片(9)之间固定设置有高频信号输入引线(1102)。
4.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频功能层(3)在功能端口(11)竖直位置下固定设置有高频信号线区(301)，所述高频信号线(302)固定设置若干个，且所述高频信号线(302)均匀安装在高频功能层(3)。
5.根据权利要求3所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频信号输入引线(1102)贯穿直流功能层(2)与高频信号线(302)电性连接。
6.根据权利要求4所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频信号线(302)两侧均匀设置有共地电极(303)。
7.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板(1)通过低温共烧陶瓷工艺叠压烧结制成。
8.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述卡槽(10)为中空，所述背光探测器芯片(7)和激光器芯片(9)与高频功能层(3)电性连接。
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