[实用新型]芯片的内绝缘封装结构

说明书

本实用新型提供一种芯片的内绝缘封装结构，包括：绝缘装置和塑封材料，绝缘装置包括：绝缘片和覆在绝缘片表面的金属，覆在绝缘片其中一表面的金属的厚度大于覆在绝缘片另一表面的金属的厚度，其中，当覆在绝缘片第一表面的金属的厚度大于覆在绝缘片第二表面的金属的厚度时，绝缘装置的第一表面与芯片结合；当覆在绝缘片第二表面的金属的厚度大于覆在绝缘片第一表面的金属的厚度时，绝缘装置的第一表面通过铜框架与芯片结合；绝缘装置的第二表面与塑封材料结合，塑封材料包围芯片和绝缘装置。本实用新型通过增加绝缘装置其中一面的金属膜厚度，既可以保证绝缘装置的硬度，又可以减少焊接层，降低热阻和生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片的内绝缘封装结构。

背景技术

功率器件单管产品在实际应用中，在散热要求高的场合，会要求分立器件背面贴装散热器，然后，为了保证高压环境中的功率器件的绝缘性能，需要在制造过程中采用绝缘措施将引线框架与散热器隔开。一般的做法有两种：

1、将陶瓷片贴装在分立器件背面，但该方式的缺点是陶瓷片绝缘性能优劣不等，需要繁琐的检验流程，另外，外部贴陶瓷片，制作流程复杂，成品率低，成本偏高，且外部裸露陶瓷片，运输和安装过程中容易磕碰破裂，影响绝缘性能。

2、三明治内绝缘结构，即塑封材料采用两层铜框架，一层用于芯片焊接，一层用于背面散热，两层铜框架内用双面覆铜陶瓷片进行绝缘隔离。该方案比外部贴陶瓷片方案可靠性更高，更容易实现量产，但该方案增加了一层焊接层，热阻会增加，另外两层厚框架，成本也随之提高。

实用新型内容

本实用新型为解决上述技术问题，提供了一种芯片的内绝缘封装结构，通过增加绝缘装置其中一面的金属膜厚度，既可以保证绝缘装置的硬度，又可以减少焊接层，降低热阻和生产成本。

本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型提出了一种芯片的内绝缘封装结构，包括：绝缘装置，所述绝缘装置包括：绝缘片和覆在所述绝缘片表面的金属，覆在所述绝缘片其中一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片另一表面的金属的厚度，其中，当覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度时，所述绝缘装置的第一表面与芯片结合；当覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度时，所述绝缘装置的第一表面通过铜框架与所述芯片结合；塑封材料，所述绝缘装置的第二表面与所述塑封材料结合，所述塑封材料包围所述芯片和所述绝缘装置，以将所述芯片进行绝缘封装。

本实用新型上述提出的芯片的内绝缘封装结构还具有如下附加技术特征：

具体地，所述铜框架包括载片台和引线框架，覆在所述绝缘片的第二表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度时，所述载片台的一面通过焊料与芯片进行焊接，且所述载片台的尺寸大于所述芯片的尺寸，所述载片台的另一面通过焊料与所述绝缘装置的第一表面进行焊接。

进一步地，所述绝缘片的厚度为0.25～0.5mm，覆在所述绝缘片的第二表面的金属的厚度为1.5～2mm，覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度为 0.25～0.5mm。

具体地，覆在所述绝缘片的第一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度时，还包括：引线框架，所述引线框架与所述覆在所述绝缘片的第一表面的金属连接。

进一步地，所述绝缘片的厚度为0.25～0.5mm，覆在所述绝缘片的第一表面的金属的厚度为2～3mm，覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度为 0.25～0.5mm。

具体地，所述绝缘片包括陶瓷，所述覆在所述绝缘片表面的金属包括铜。

本实用新型的有益效果：

本实用新型本实用新型通过增加绝缘装置其中一面的金属膜厚度，既可以保证绝缘装置的硬度，又可以减少焊接层，降低热阻和生产成本。