[实用新型]芯片的内绝缘封装结构

权利要求书

1.一种芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，包括：

绝缘装置，所述绝缘装置包括：绝缘片和覆在所述绝缘片表面的金属，覆在所述绝缘片其中一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片另一表面的金属的厚度，其中，当覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度时，所述绝缘装置的第一表面与所述芯片结合；当覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度时，所述绝缘装置的第一表面通过铜框架与所述芯片结合；

塑封材料，所述绝缘装置的第二表面与所述塑封材料结合，所述塑封材料包围所述芯片和所述绝缘装置，以将所述芯片进行绝缘封装。

2.根据权利要求1所述的芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，所述铜框架包括载片台和引线框架，覆在所述绝缘片的第二表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度时，所述载片台的一面通过焊料与芯片进行焊接，且所述载片台的尺寸大于所述芯片的尺寸，所述载片台的另一面通过焊料与所述绝缘装置的第一表面进行焊接。

3.根据权利要求2所述的芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘片的厚度为0.25～0.5mm，覆在所述绝缘片的第二表面的金属的厚度为1.5～2mm，覆在所述绝缘片第一表面的金属的厚度为0.25～0.5mm。

4.根据权利要求1所述的芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，覆在所述绝缘片的第一表面的金属的厚度大于覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度时，还包括：引线框架，所述引线框架与所述覆在所述绝缘片的第一表面的金属连接。

5.根据权利要求4所述的芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘片的厚度为0.25～0.5mm，覆在所述绝缘片的第一表面的金属的厚度为2～3mm，覆在所述绝缘片第二表面的金属的厚度为0.25～0.5mm。

6.根据权利要求1所述的芯片的内绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘片包括陶瓷，所述覆在所述绝缘片表面的金属包括铜。