[实用新型]一种半导体切割固定使用的UV保护膜有效
| 申请号: | 202021382049.5 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN212517150U | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 卢荣贵 | 申请(专利权)人: | 东莞市伟腾半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B65H37/04;B32B27/30;B32B27/06;B32B33/00;B32B7/12 |
| 代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
| 地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 切割 固定 使用 uv 保护膜 | ||
本实用新型公开了一种半导体切割固定使用的UV保护膜,包括外包机构和保护膜本体,保护膜本体设置在外包机构的内部,底膜为一种EVA塑料涂覆UV涂层材质制成的构件,通过底膜对半导体零件进行贴合,且EVA塑料韧性强,质地柔软,在进行贴附时,不易对半导体表面造成损伤,因柔软的质地,可以更好的对半导体零件进行贴附,通过外壳的保护,减少UV膜与可见光的接触,以保障最佳的使用状态,第一转轴和第二转轴,便于UV膜从出纳口进行延展贴附作业,连接槽与连接件之间构成花键连接,内部第一转轴和第二转轴不会出现打滑,外壳通过连接件与第二转轴相连接,使UV膜在进行延展贴附时,内部保持转动运行,避免出现UV膜在内部出现平行位移卡死的现象。
技术领域
本实用新型涉及UV保护膜技术领域,具体为一种半导体切割固定使用的UV保护膜。
背景技术
UV膜是将特殊配方涂料涂布于PET、P0、PVC、EVA薄膜基材表面,以达到阻隔紫外光及短波长可见光之效果,适用于光学蚀刻制程或制程中需隔绝UV之产业如半导体业,电子业等,避免不当光线泄漏造成产品品质不良。
现如今的UV保护膜普遍为一种PVC材料为主制成,质地较为坚硬,虽通过UV涂层可以很好与半导零件进行贴附,但由于较硬的质地,容易对半导零件的表面造成损坏,在使用的时候也不便于延展贴附的问题。
为解决UV保护膜普遍为一种PVC材料为主制成,质地较为坚硬,虽通过UV涂层可以很好与半导零件进行贴附,但由于较硬的质地,容易对半导零件的表面造成损坏,在使用的时候也不便于延展贴附的问题。为此,提出一种半导体切割固定使用的UV保护膜。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体切割固定使用的UV保护膜,从而解决了现有技术中UV保护膜普遍为一种PVC材料为主制成,质地较为坚硬,虽通过UV涂层可以很好与半导零件进行贴附,但由于较硬的质地,容易对半导零件的表面造成损坏,在使用的时候也不便于延展贴附的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体切割固定使用的UV保护膜,包括外包机构和保护膜本体,所述保护膜本体设置在外包机构的内部,所述外包机构包括外壳、连接件和出纳口,所述外壳的内部安装保护膜本体,连接件设置在外壳的内壁两侧,所述外壳的外围开设有出纳口;
所述保护膜本体包括UV膜和转动件,所述UV膜缠绕并包裹在转动件的外围。
优选的,所述UV膜包括上模、粘合层和底膜,所述上模通过粘合层与底膜相粘合。
优选的,所述上模为一种PVC塑料涂覆UV涂层材质制成的构件,粘合层为一种UV胶材质制成的构件,底膜为一种EVA塑料涂覆UV涂层材质制成的构件。
优选的,所述转动件包括第一转轴和第二转轴,所述第一转轴的外围缠绕并包裹有UV膜,且内壁与第二转轴相贴合。
优选的,所述第二转轴的内壁两端共开设有四处连接槽。
优选的,所述连接槽与连接件之间构成花键连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1、本实用新型提出的一种半导体切割固定使用的UV保护膜,通过UV膜包括上模、粘合层和底膜,上模通过粘合层与底膜相粘合,底膜为一种EVA塑料涂覆UV涂层材质制成的构件,通过底膜对半导体零件进行贴合,且EVA塑料韧性强,质地柔软,在进行贴附时,不易对半导体表面造成损伤,因柔软的质地,可以更好的对半导体零件进行贴附,加强贴附的紧密性。
2、本实用新型提出的一种半导体切割固定使用的UV保护膜,通过外壳的内部安装保护膜本体,连接件设置在外壳的内壁两侧,外壳的外围开设有出纳口,第一转轴的外围缠绕并包裹有UV膜,且内壁与第二转轴相贴合,通过外壳的保护,减少UV膜与可见光的接触,以保障最佳的使用状态,通过第一转轴和第二转轴,便于UV膜从出纳口进行延展贴附作业。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





