[实用新型]一种耐高温度循环的IGBT模块有效

专利信息
申请号: 202021345427.2 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212542415U 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 邱嘉龙;李志军;朱永斌;何祖辉 申请(专利权)人: 浙江天毅半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L29/739;B01D46/12
代理公司: 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 代理人: 曹玉清
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 循环 igbt 模块
【说明书】:

实用新型公开了一种耐高温度循环的IGBT模块,包括底座,所述底座的底部开设有安装槽,所述安装槽的内腔固定连接有散热盒,所述底座底部固定连接有冷却液盒,所述冷却液盒右侧的顶部连通有加液管,所述冷却液盒左侧的底部连通有排液管,所述冷却液盒的表面缠绕有环形管,所述散热盒底部的左侧通过管道与环形管的一端连通。本实用新型通过设置散热盒、冷却液盒、环形管、抽液泵、导热棒、固定块、外壳、风机、安装座、排气孔、温度感应器、进气孔和控制器的配合使用,具备散热效果好的优点,解决了现有的IGBT模块散热效果差,IGBT在使用过程中大量产热无法很好的散出,高温时IGBT内部元件加速老化,降低IGBT使用寿命的问题。

技术领域

本实用新型涉及IGBT模块技术领域,具体为一种耐高温度循环的IGBT 模块。

背景技术

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,IGBT在使用过程中会产生大量的热量,现有的IGBT模块散热效果差, IGBT在使用过程中大量产热无法很好的散出,高温时IGBT内部元件加速老化,降低IGBT使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种耐高温度循环的IGBT模块,具备散热效果好的优点,解决了现有的IGBT模块散热效果差,IGBT在使用过程中大量产热无法很好的散出,高温时IGBT内部元件加速老化,降低IGBT使用寿命的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种耐高温度循环的 IGBT模块,包括底座,所述底座的底部开设有安装槽,所述安装槽的内腔固定连接有散热盒,所述底座底部固定连接有冷却液盒,所述冷却液盒右侧的顶部连通有加液管,所述冷却液盒左侧的底部连通有排液管,所述冷却液盒的表面缠绕有环形管,所述散热盒底部的左侧通过管道与环形管的一端连通,所述环形管的另一端与冷却液盒右侧的底部连通,所述冷却液盒顶部的右侧固定连接有抽液泵,所述抽液泵的抽液管与冷却液盒顶部的右侧连通,所述抽液泵的出液管与散热盒底部的右侧连通,所述散热盒顶部的前侧和后侧均贯穿设置有导热棒,所述导热棒的底部延伸至散热盒的内腔,所述底座顶部的两侧均通过螺栓固定连接有固定块,所述固定块相对的一侧固定连接有外壳,所述底座顶部的两侧均固定连接有风机,所述底座的顶部固定连接有安装座,所述外壳顶部的两侧均开设有排气孔,所述外壳内腔的顶部固定连接有温度感应器,所述底座的顶部连通有插孔,所述外壳的前侧和后侧均开设有进气孔,所述冷却液盒的顶部固定连接有控制器,所述控制器分别与抽液泵、风机和温度感应器电性连接。

优选的,所述加液管的顶部螺纹连接有管盖,所述排液管的表面套设有阀门。

优选的,所述安装座的表面开设有通气孔,所述底座为耐高温材料。

优选的,所述排气孔的内腔固定连接有第一滤网,所述进气孔的内腔固定连接有第二滤网。

优选的,所述导热棒的顶部贯穿至底座的顶部并延伸至外壳的内腔,所述风机和安装座均位于外壳的内部。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

1.本实用新型通过设置散热盒、冷却液盒、环形管、抽液泵、导热棒、固定块、外壳、风机、安装座、排气孔、温度感应器、进气孔和控制器的配合使用,具备散热效果好的优点,解决了现有的IGBT模块散热效果差,IGBT 在使用过程中大量产热无法很好的散出,高温时IGBT内部元件加速老化,降低IGBT使用寿命的问题。

2.本实用新型通过设置管盖,能够有效防止冷却液从加液管中洒出,通过设置排液管和阀门,能够便于冷却液盒中冷却液的更换,通过设置通气孔,能够便于外壳内空气的流通,通过设置第一滤网和第二滤网,能够起到对进入外壳内空气进行过滤的作用,能够有效防止杂物进入外壳内,通过设置导热棒,能够起到导热的效果,能够便于将外壳内的热量导出,通过设置环形管,能够便于冷却液的冷却。

附图说明

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江天毅半导体科技有限公司,未经浙江天毅半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021345427.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top