[实用新型]一种使用寿命长单晶硅片有效

专利信息
申请号: 202021337625.4 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212848419U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 班义征 申请(专利权)人: 深圳市百度微半导体有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/048
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 赵爱蓉
地址: 518000 广东省深圳市福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用寿命 单晶硅
【说明书】:

实用新型公开了一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的表面均匀排设有栅线,所述硅片本体表面的两侧均设置有引流线,所述引流线与栅线为贯穿设置,所述硅片本体包括单硅基层,所述单硅基层的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有保护层,保护层包括防紫外线层和防刮层组成。本实用新型通过硅片本体、栅线、引流线、单硅基层、绒面结构层、保护层、防紫外线层、防刮层、抗反射层和增透层的配合使用,能够有效的解决传统单晶硅片在安装过程中防护性较差的问题,该结构使得该双面单晶硅片的强度更高,在安装时不易发生碎裂,同时能够进一步减少光衰,从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅技术领域,具体为一种使用寿命长单晶硅片。

背景技术

晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一,目前单晶硅片的防护性能较差,例如防紫外线性能较差,从而在紫外线的长久照射下,会导致硅片基体的老化,且抗冲击性能和防刮伤的性能都较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种使用寿命长单晶硅片,具备提高使用寿命的优点,解决了目前单晶硅片的防护性能较差,例如防紫外线性能较差,从而在紫外线的长久照射下,会导致硅片基体的老化,且抗冲击性能和防刮伤的性能都较差的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的表面均匀排设有栅线,所述硅片本体表面的两侧均设置有引流线,所述引流线与栅线为贯穿设置,所述硅片本体包括单硅基层,所述单硅基层的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有保护层,所述保护层包括防紫外线层和防刮层组成,所述保护层的表面固定连接有抗反射层,所述抗反射层的表面固定连接有增透层。

优选的,所述绒面结构层的形状为凹凸不平,所述防紫外线层的材质为防紫外聚碳酸酯薄膜。

优选的,所述防刮层采用的材质为聚四氟乙烯,所述抗反射层的材质为氮化硅薄膜。

优选的,所述增透层包括氧化硅层和氧化锆层,氧化硅层和氧化锆层自上至下交替设置。

优选的,所述单硅基层的主体中均匀掺杂分布有镓粒,所述引流线的数量为两个。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

1、本实用新型通过硅片本体、栅线、引流线、单硅基层、绒面结构层、保护层、防紫外线层、防刮层、抗反射层和增透层的配合使用,能够有效的解决传统单晶硅片在安装过程中防护性较差的问题,该结构使得该双面单晶硅片的强度更高,在安装时不易发生碎裂,同时能够进一步减少光衰,从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率。

2、本实用新型通过设置防紫外线层,防紫外线层为防紫外聚碳酸酯薄膜,它可以阻隔紫外线,从而可以抑制单硅基层的老化,通过设置防刮层,防刮层为聚四氟乙烯,从而可以起到较好的防刮伤效果,通过设置增透层,使得该硅片作为太阳能组件单位面积内能够与更多的光线接触,提升了该硅片作为太阳能组件时的转换效率。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型硅片本体的组成结构示意图;

图3为本实用新型保护层的组成结构示意图。

图中:1、硅片本体;101、单硅基层;102、绒面结构层;103、保护层;1031、防紫外线层;1032、防刮层;104、抗反射层;105、增透层;2、栅线;3、引流线。

具体实施方式

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