[实用新型]一种使用寿命长单晶硅片有效
| 申请号: | 202021337625.4 | 申请日: | 2020-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN212848419U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 班义征 | 申请(专利权)人: | 深圳市百度微半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/048 |
| 代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 赵爱蓉 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 使用寿命 单晶硅 | ||
1.一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体(1),其特征在于:所述硅片本体(1)的表面均匀排设有栅线(2),所述硅片本体(1)表面的两侧均设置有引流线(3),所述引流线(3)与栅线(2)为贯穿设置,所述硅片本体(1)包括单硅基层(101),所述单硅基层(101)的顶部固定连接有绒面结构层(102),所述绒面结构层(102)的顶部固定连接有保护层(103),所述保护层(103)包括防紫外线层(1031)和防刮层(1032)组成,所述保护层(103)的表面固定连接有抗反射层(104),所述抗反射层(104)的表面固定连接有增透层(105)。
2.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述绒面结构层(102)的形状为凹凸不平,所述防紫外线层(1031)的材质为防紫外聚碳酸酯薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述防刮层(1032)采用的材质为聚四氟乙烯,所述抗反射层(104)的材质为氮化硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述增透层(105)包括氧化硅层和氧化锆层,氧化硅层和氧化锆层自上至下交替设置。
5.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述引流线(3)的数量为两个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





