[实用新型]一种使用寿命长单晶硅片有效

专利信息
申请号: 202021337625.4 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212848419U 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 班义征 申请(专利权)人: 深圳市百度微半导体有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/048
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 赵爱蓉
地址: 518000 广东省深圳市福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用寿命 单晶硅
【权利要求书】:

1.一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体(1),其特征在于:所述硅片本体(1)的表面均匀排设有栅线(2),所述硅片本体(1)表面的两侧均设置有引流线(3),所述引流线(3)与栅线(2)为贯穿设置,所述硅片本体(1)包括单硅基层(101),所述单硅基层(101)的顶部固定连接有绒面结构层(102),所述绒面结构层(102)的顶部固定连接有保护层(103),所述保护层(103)包括防紫外线层(1031)和防刮层(1032)组成,所述保护层(103)的表面固定连接有抗反射层(104),所述抗反射层(104)的表面固定连接有增透层(105)。

2.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述绒面结构层(102)的形状为凹凸不平,所述防紫外线层(1031)的材质为防紫外聚碳酸酯薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述防刮层(1032)采用的材质为聚四氟乙烯,所述抗反射层(104)的材质为氮化硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述增透层(105)包括氧化硅层和氧化锆层,氧化硅层和氧化锆层自上至下交替设置。

5.根据权利要求1所述的一种使用寿命长单晶硅片,其特征在于:所述引流线(3)的数量为两个。

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