[实用新型]一种含硅废水处理系统有效

专利信息
申请号: 202021319264.0 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN212924676U 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 王怀敏;陆粉菊;江少英 申请(专利权)人: 曲靖晶龙电子材料有限公司
主分类号: C02F9/06 分类号: C02F9/06;C02F1/463;C02F101/10
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 徐颖聪
地址: 655000 云南省曲靖市曲靖*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 废水处理 系统
【权利要求书】:

1.一种含硅废水处理系统,其特征在于,包括:

电絮凝反应池;

絮凝剂生成装置,所述絮凝剂生成装置设置于所述电絮凝反应池内,所述絮凝剂生成装置包括金属阳极,所述金属阳极为铝、铁、镁或其合金,所述金属阳极用于原位生成絮凝剂。

2.根据权利要求1所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述电絮凝反应池下游还设置有絮凝沉淀池,所述絮凝沉淀池用于通过水溶性高分子聚合物絮凝剂使经过所述电絮凝反应池处理的所述废水中的含硅废物沉淀去除。

3.根据权利要求2所述的含硅废水处理系统,其特征在于,还包括:

平流式沉淀池,所述平流式沉淀池连接在所述絮凝沉淀池的下游,用于积聚经所述絮凝沉淀池处理后的含硅废水所沉淀下来的污泥。

4.根据权利要求3所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述平流式沉淀池包括:

进水口,所述进水口设在所述平流式沉淀池的靠近所述絮凝沉淀池的一端,所述进水口形成为多个均匀分布的淹没进水孔;

污泥斗,所述污泥斗设置于所述平流式沉淀池的底部;

排泥管,所述排泥管与所述污泥斗的底部相连通;

出水口,所述出水口设置在所述平流式沉淀池的远离所述进水口的另一端;

第一挡板,所述第一挡板设置于所述进水口的下游。

5.根据权利要求4所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述出水口形成为溢流堰。

6.根据权利要求5所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述出水口的上游设有:浮渣槽和位于所述浮渣槽与所述出水口之间的第二挡板。

7.根据权利要求4所述的含硅废水处理系统,其特征在于,还包括:

污泥浓缩池,所述污泥浓缩池与所述平流式沉淀池连接,用于重力沉淀压滤处理所述污泥。

8.根据权利要求7所述的含硅废水处理系统,其特征在于,所述污泥浓缩池包括:

污泥泵,所述污泥泵用于将从所述排泥管排出的污泥抽至所述污泥浓缩池进行重力沉淀;

压泥机,所述压泥机用于压滤处理沉淀后的污泥。

9.根据权利要求1所述的含硅废水处理系统,其特征在于,在所述电絮凝反应池的上游还包括:

初步沉淀池,所述初步沉淀池用于接收含硅废水以去除所述含硅废水中的固态硅粉颗粒;

调节池,所述调节池连接在所述初步沉淀池与所述电絮凝反应池之间,用于调节流量。

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