[实用新型]一种用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构及加热器有效
| 申请号： | 202021265675.6 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN212785888U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吴斌;苏琪婷;吕锦銮;陆正华;杜培丽;苗旭 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/03 | 分类号： | H05B3/03 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 卢浩 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 增大 陶瓷 ptc 电极 片爬电 距离 新型 结构 加热器 | ||
1.一种用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，包括陶瓷片以及设置在陶瓷片上下两端的电极片，其中，所述电极片中位于陶瓷片头部和尾部的冷端区域处的两侧向内收窄，该电极片的宽度小于所述陶瓷片的宽度；所述陶瓷片在收窄区域内设置有凹槽，所述凹槽沿着所述陶瓷片的长度方向延伸。
2.根据权利要求1所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，上端的电极片中位于陶瓷片头部和尾部的冷端区域处的两侧均向内收窄，所述凹槽设置在所述陶瓷片的上端，该凹槽为两个，分别设置在所述陶瓷片的左右两侧。
3.根据权利要求1所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，下端的电极片中位于陶瓷片头部和尾部的冷端区域处的两侧均向内收窄，所述凹槽设置在所述陶瓷片的下端，该凹槽为两个，分别设置在所述陶瓷片的左右两侧。
4.根据权利要求1所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，上下两端的电极片中位于陶瓷片头部和尾部的冷端区域处的两侧均向内收窄，所述凹槽为两组，分别设置在所述陶瓷片的上下两端；每组为两个，分别设置在所述陶瓷片的左右两侧。
5.根据权利要求1-4任一项所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，所述凹槽为V型槽。
6.根据权利要求1-4任一项所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，位于收窄范围内的电极片采用圆弧过渡。
7.根据权利要求1-4任一项所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构，其特征在于，位于收窄范围内的电极片的收窄长度比冷端长度短≥1.0mm。
8.一种加热器，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的用于增大陶瓷PTC电极片爬电距离的新型结构。
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