[实用新型]一种容性耦合结构及滤波器有效
申请号: | 202021261993.5 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN212277366U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 何进军;韦俊杰;陈鹏 | 申请(专利权)人: | 重庆思睿创瓷电科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/00 | 分类号: | H01P5/00;H01P1/212;H01P1/20 |
代理公司: | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人: | 蒙捷 |
地址: | 401346 重庆市巴*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耦合 结构 滤波器 | ||
1.一种容性耦合结构,其特征在于:包括与多个相邻且不连接的谐振器相连的中间部,中间部包括用于连接谐振器的连接块,以及用于隔离谐振器的隔离腔,与同一中间部连接的两谐振器的电场方向不同。
2.根据权利要求1所述的一种容性耦合结构,其特征在于:所述连接块包括与谐振器连接的耦合窗口,以及与隔离腔连接的隔离侧,所述隔离侧覆有导电屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的一种容性耦合结构,其特征在于:所述连接块为微波介质材料制成的部件。
4.根据权利要求2所述的一种容性耦合结构,其特征在于:所述导电屏蔽层为金属导电屏蔽层。
5.一种滤波器,包括多个谐振器,其特征在于:多个谐振器之间至少使用一个如权利要求1-4任一项所述的容性耦合结构。
6.根据权利要求5所述的一种滤波器,其特征在于:所述容性耦合结构使得其连接的谐振器间产生容性负耦合。
7.根据权利要求5所述的一种滤波器,其特征在于:还包括输入电极结构和输出电极结构,输入电极结构和输出电极结构分别设于两个谐振器上。
8.根据权利要求5所述的一种滤波器,其特征在于:还包括至少两个用于调节谐振器谐振频率的调试盲孔,调试盲孔分别位于不同的谐振器上。
9.根据权利要求5所述的一种滤波器,其特征在于:多个滤波器上均覆有导电屏蔽层。
10.根据权利要求9所述的一种滤波器,其特征在于:所述导电屏蔽层为金属导电屏蔽层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆思睿创瓷电科技有限公司,未经重庆思睿创瓷电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021261993.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。