[实用新型]一种低噪声耐冲击的防反电路及装置

说明书

本实用新型公开了一种低噪声耐冲击的防反电路，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFET M1和反接保护电路；所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电容器C1并联有TVS管TV1；所述反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFET M1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1集电极和反极性保护MOSFET M1引脚4，所述电阻R2另一端连接引脚VCP，所述NPN双极晶体管Q1发射极连接二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感L1另一端。本实用新型可起到反接保护功能，并且具有低噪声性能。

技术领域

本实用新型属于汽车电路技术领域，特别涉及一种低噪声耐冲击的防反电路及装置。

背景技术

在汽车保养期间，连接电池端子的电线可能会不小心交换，导致汽车ECU电源出现负压。如果ECU的设计不能承受其电源端子的负压，它们可能会永久损坏。在一个特殊的情况下，ECU具有n通道MOSFET半桥，其中高侧的MOSFET直接连接到电池，反向极性事件可以破坏MOSFET。如图1所示，当“ECU Vbat”和“ECU Gnd”之间的电压为负时，MOSFET的寄生体二极管将进行传导，为电流提供从地面到电池的路径。一旦达到或超过最大体二极管连续正向电流或MOSFET的最大功率损耗，他们将被损坏。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种低噪声耐冲击的防反电路，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFET M1和反接保护电路；

所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电感L1一端连接电容器C1一端和引脚Vbat，所述电感L1另一端连接电容器C2一端，所述电容器C1另一端接地，所述电容器C2另一端接地，所述电容器C1并联有TVS管TV1；

所述反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFET M1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；

所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1集电极和反极性保护MOSFET M1引脚4，所述电阻R2另一端连接引脚VCP，所述NPN双极晶体管Q1发射极连接二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感L1另一端，所述NPN双极晶体管Q1基极连接电阻R3一端，所述电阻R3另一端连接二极管D2负极，所述二极管D2正极接地。

进一步地，所述反极性保护MOSFET M1与反接保护电路之间设有电容器C3；

所述电容器C3一端分别连接反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3，所述电容器C3另一端连接NPN双极晶体管Q1集电极。

进一步地，所述电容器C3并联有电阻R1；

所述电阻R1一端连接电容器C3一端，所述电阻R1另一端连接电容器C3另一端。

进一步地，所述NPN双极晶体管Q1与电阻R3之间设置有电阻R4；

所述电阻R4一端连接NPN双极晶体管Q1基极，所述电阻R4另一端连接电阻R3一端。

进一步地，所述电阻R4与二极管D1之间设置有电阻R5；

所述电阻R5一端连接电阻R4一端，所述电阻R5另一端连接二极管D1正极。

进一步地，所述电阻R2与电阻R3之间设置有电容器C4；

所述电容器C4一端连接电阻R2另一端，所述电容器C4另一端连接电阻R3一端。

进一步地，所述电阻R2与引脚VCP之间设置有电容器C5和电容器C6；