[实用新型]一种低噪声耐冲击的防反电路及装置

权利要求书

1.一种低噪声耐冲击的防反电路,其特征在于，所述电路包括π过滤器、反极性保护MOSFET M1和反接保护电路；

所述π过滤器包括电容器C1、电容器C2和电感L1，所述电感L1一端连接电容器C1一端和引脚Vbat，所述电感L1另一端连接电容器C2一端，所述电容器C1另一端接地，所述电容器C2另一端接地，所述电容器C1并联有TVS管TV1；

所述反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3均连接电感L1另一端，所述反极性保护MOSFET M1引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接引脚VDH；

所述反接保护电路包括NPN双极晶体管Q1和电阻R2，所述电阻R2一端分别连接NPN双极晶体管Q1集电极和反极性保护MOSFET M1引脚4，所述电阻R2另一端连接引脚VCP，所述NPN双极晶体管Q1发射极连接二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感L1另一端，所述NPN双极晶体管Q1基极连接电阻R3一端，所述电阻R3另一端连接二极管D2负极，所述二极管D2正极接地。

2.根据权利要求1所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述反极性保护MOSFET M1与反接保护电路之间设有电容器C3；

所述电容器C3一端分别连接反极性保护MOSFET M1引脚1、引脚2、引脚3，所述电容器C3另一端连接NPN双极晶体管Q1集电极。

3.根据权利要求2所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述电容器C3并联有电阻R1；

所述电阻R1一端连接电容器C3一端，所述电阻R1另一端连接电容器C3另一端。

4.根据权利要求3所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述NPN双极晶体管Q1与电阻R3之间设置有电阻R4；

所述电阻R4一端连接NPN双极晶体管Q1基极，所述电阻R4另一端连接电阻R3一端。

5.根据权利要求4所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述电阻R4与二极管D1之间设置有电阻R5；

所述电阻R5一端连接电阻R4一端，所述电阻R5另一端连接二极管D1正极。

6.根据权利要求5所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述电阻R2与电阻R3之间设置有电容器C4；

所述电容器C4一端连接电阻R2另一端，所述电容器C4另一端连接电阻R3一端。

7.根据权利要求1-6任一项所述的低噪声耐冲击的防反电路，其特征在于，所述电阻R2与引脚VCP之间设置有电容器C5和电容器C6；

所述电容器C5与电容器C6并联；

所述电容器C5一端和电容器C6一端均连接引脚VCP，所述电容器C5另一端和电容器C6另一端均接地。

8.一种低噪声耐冲击的防反装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1-7任一项所述的低噪声耐冲击的防反电路。