[实用新型]无刷马达驱动板PCB布局结构、无刷马达驱动板和无刷马达有效
| 申请号: | 202021218980.X | 申请日: | 2020-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN212208301U | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | 郭鹏;陈建能;亢汉宁;梁小华;余勋灿;林李健;高蓓;涂春丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙德科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;H05K1/18;H02K11/33;H02P25/16;H02P29/032;H02P29/60 |
| 代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区大浪*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 马达 驱动 pcb 布局 结构 | ||
1.一种无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,包括PCB板,安装在PCB板上的控制器防浪涌模块、逆变模块、MCU控制模块、控制器状态存储模块及马达温升检测模块;所述PCB板为双面板,控制器防浪涌模块布设在PCB板的左前方,其中,控制器防浪涌模块的第一MOS芯片布设在PCB板的顶面;逆变模块相邻于控制器防浪涌模块,且逆变模块的第二MOS芯片布设在PCB板的底面;MCU控制模块布设在控制器防浪涌模块和逆变模块的后方,且其MCU布设在PCB板的顶面;控制器状态存储模块布设在MCU控制模块的右侧,并且其存储器芯片布设在PCB板的底面;马达温升检测模块布设在PCB板的底面且相邻于存储器芯片。
2.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,MCU控制模块采用焊盘形式与控制器防浪涌模块、逆变模块、控制器状态存储模块、马达温升检测模块电连接,且还通过焊盘接入外部电源。
3.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,控制器防浪涌模块包括第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1和保险管F1,第一MOS芯片的栅极通过第一电阻接地和连接至第一焊盘,通过第二电阻连接至MCU,源极接地,漏极连接第一电容C1的一端,第一电容C1的一端还与第三电阻相连接,第一电容C1的另一端通过保险管F1连接至第二焊盘;
其中,保险管F1布设在PCB板的底面,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1、第一焊盘和第二焊盘均布设在PCB板的顶面,并且,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40和第三电阻R16均布设在第一电容C1的同一侧,第三电阻R16布设在第一MOS芯片V4的前方,第一电阻R38和第二电阻R40分别布设在第一MOS芯片V4的后方,第一焊盘和第二焊盘布设在第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1这些元件的周围,并且位于PCB板顶面的边缘,第一焊盘用于连接外部电源负极,第二焊盘用于连接外部电源正极。
4.根据权利要求3所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,逆变模块由3个并联且相同的逆变电路、第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4和电流采样电阻R15组成,每个逆变电路包括一个第二MOS芯片、第四电阻、第五电阻、第六电阻第七电阻和第四电容,每个第二MOS芯片具有2个场效应管,两个场效应管的栅极分别通过第四电阻和第五电阻连接至MCU的三相电压输出接口,同时分别通过第六电阻和第七电阻连接对应场效应管的源极,其中一个场效应管的源极和漏极均直接连接至外部电源,同时漏极还连接第一电容C1、外部电源和通过第二电容C2接地,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极连接在一起;另一个场效应管的源极通过电流采样电阻R15接地,以及通过第八电阻R7连接至MCU和第三电容C4,第三电容C4再接地,其漏极连接至第三焊盘,以及通过第四电容接地,通过第四电容连接第八电阻R7和连接MCU,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极通过第四电容连接在一起,3个第二MOS芯片中的该场效应管的源极也连接在一起;
其中,第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4均布设在PCB板的顶面,且第二电容相邻于第一电容C1,第八电阻R7、第三电容C4位于第一电容C1和MCU之间的空余区域;3个逆变电路的第三焊盘均布设在第一电容C1和第二电容前方,且3个第三焊盘分别用于电连接无刷马达三相绕组的对应相绕组;3个第二MOS芯片并排设置于PCB板的底面,并位于保险管F1的左侧,3个第二MOS芯片的第四电容和电流采样电阻R15均布设在底面,且第四电容位于对应的第二MOS芯片的周围,电流采样电阻R15位于其中一个第二MOS芯片的周围;3个第二MOS芯片的第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻中,部分电阻布设在顶面且位于第一电容C1和MCU之间的空余区域,剩余电阻布设在底面且位于对应的第二MOS芯片周围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市龙德科技有限公司,未经深圳市龙德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021218980.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种散热式变频风机
- 下一篇:防水按键结构及电子设备





