[实用新型]无刷马达驱动板PCB布局结构、无刷马达驱动板和无刷马达有效

专利信息
申请号: 202021218980.X 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN212208301U 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 郭鹏;陈建能;亢汉宁;梁小华;余勋灿;林李健;高蓓;涂春丽 申请(专利权)人: 深圳市龙德科技有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;H05K1/18;H02K11/33;H02P25/16;H02P29/032;H02P29/60
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区大浪*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 马达 驱动 pcb 布局 结构
【权利要求书】:

1.一种无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,包括PCB板,安装在PCB板上的控制器防浪涌模块、逆变模块、MCU控制模块、控制器状态存储模块及马达温升检测模块;所述PCB板为双面板,控制器防浪涌模块布设在PCB板的左前方,其中,控制器防浪涌模块的第一MOS芯片布设在PCB板的顶面;逆变模块相邻于控制器防浪涌模块,且逆变模块的第二MOS芯片布设在PCB板的底面;MCU控制模块布设在控制器防浪涌模块和逆变模块的后方,且其MCU布设在PCB板的顶面;控制器状态存储模块布设在MCU控制模块的右侧,并且其存储器芯片布设在PCB板的底面;马达温升检测模块布设在PCB板的底面且相邻于存储器芯片。

2.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,MCU控制模块采用焊盘形式与控制器防浪涌模块、逆变模块、控制器状态存储模块、马达温升检测模块电连接,且还通过焊盘接入外部电源。

3.根据权利要求1所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,控制器防浪涌模块包括第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1和保险管F1,第一MOS芯片的栅极通过第一电阻接地和连接至第一焊盘,通过第二电阻连接至MCU,源极接地,漏极连接第一电容C1的一端,第一电容C1的一端还与第三电阻相连接,第一电容C1的另一端通过保险管F1连接至第二焊盘;

其中,保险管F1布设在PCB板的底面,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1、第一焊盘和第二焊盘均布设在PCB板的顶面,并且,第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40和第三电阻R16均布设在第一电容C1的同一侧,第三电阻R16布设在第一MOS芯片V4的前方,第一电阻R38和第二电阻R40分别布设在第一MOS芯片V4的后方,第一焊盘和第二焊盘布设在第一MOS芯片V4、第一电阻R38、第二电阻R40、第三电阻R16、第一电容C1这些元件的周围,并且位于PCB板顶面的边缘,第一焊盘用于连接外部电源负极,第二焊盘用于连接外部电源正极。

4.根据权利要求3所述的无刷马达驱动板PCB布局结构,其特征在于,逆变模块由3个并联且相同的逆变电路、第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4和电流采样电阻R15组成,每个逆变电路包括一个第二MOS芯片、第四电阻、第五电阻、第六电阻第七电阻和第四电容,每个第二MOS芯片具有2个场效应管,两个场效应管的栅极分别通过第四电阻和第五电阻连接至MCU的三相电压输出接口,同时分别通过第六电阻和第七电阻连接对应场效应管的源极,其中一个场效应管的源极和漏极均直接连接至外部电源,同时漏极还连接第一电容C1、外部电源和通过第二电容C2接地,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极连接在一起;另一个场效应管的源极通过电流采样电阻R15接地,以及通过第八电阻R7连接至MCU和第三电容C4,第三电容C4再接地,其漏极连接至第三焊盘,以及通过第四电容接地,通过第四电容连接第八电阻R7和连接MCU,并且3个第二MOS芯片中的该场效应管的漏极通过第四电容连接在一起,3个第二MOS芯片中的该场效应管的源极也连接在一起;

其中,第二电容C2、第八电阻R7、第三电容C4均布设在PCB板的顶面,且第二电容相邻于第一电容C1,第八电阻R7、第三电容C4位于第一电容C1和MCU之间的空余区域;3个逆变电路的第三焊盘均布设在第一电容C1和第二电容前方,且3个第三焊盘分别用于电连接无刷马达三相绕组的对应相绕组;3个第二MOS芯片并排设置于PCB板的底面,并位于保险管F1的左侧,3个第二MOS芯片的第四电容和电流采样电阻R15均布设在底面,且第四电容位于对应的第二MOS芯片的周围,电流采样电阻R15位于其中一个第二MOS芯片的周围;3个第二MOS芯片的第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻中,部分电阻布设在顶面且位于第一电容C1和MCU之间的空余区域,剩余电阻布设在底面且位于对应的第二MOS芯片周围。

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