[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底、设置于所述衬底之上的外延层、以及与所述外延层电性连接的P电极和N电极，所述外延层包括N型层、发光层和P型层，所述外延层的侧面具有裸露的台面，所述台面包括侧面区域和底面区域，所述侧面区域具有复数个倾斜面，位于最下方的所述倾斜面的斜率小于其余所述倾斜面的斜率。本实用新型既避免牺牲过多的上层发光区域，又能有效提升电子的横向扩展能力，进而降低发光二极管的正向电压。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode，LED）是一种半导体发光元件，它利用半导体PN结注入式电致发光原理制成。LED具有能耗低、体积小、寿命长、稳定性好、响应快和发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显 示屏、指示灯等领域有很好的应用。

目前市场对低电压和高亮度的需求日益增长，为了满足发光二极管在各个领域的应用需求，如何进一步提出降低发光二极管的电压一直是亟需解决的问题。

发明内容

为进一步降低发光二极管的电压，本实用新型提供一种发光二极管，包括衬底、设置于所述衬底之上的外延层、以及与所述外延层电性连接的P电极和N电极，所述外延层包括N型层、发光层和P型层，所述外延层的侧面具有裸露的台面，所述台面包括侧面区域和底面区域，所述侧面区域具有复数个倾斜面，位于最下方的所述倾斜面的斜率小于其余所述倾斜面的斜率。

优选的，所述倾斜面包括第一倾斜面和与所述第一倾斜面连接的第二倾斜面。

优选的，所述第一倾斜面从所述P型层的上表面延伸至所述发光层的下表面，所述第二倾斜面从所述发光层的下表面延伸至所述底面区域。

优选的，所述第一倾斜面与所述发光层成角度A，所述第二倾斜面与所述底面区域的反向延伸线成角度B,所述角度A大于所述角度B。

优选的，所述角度A 为30度~90度，所述角度B为10度~60度。

优选的，所述第一倾斜面与所述第二倾斜面的交界处低于所述N型层的上表面且高于所述底面区域。

优选的，所述P型层和所述发光层之间还包括电子阻挡层。

优选的，所述电子阻挡层为P型氮化镓铝层。

优选的，所述P电极与所述P型层之间设置电流扩展层。

优选的，所述衬底和所述外延层之间设置缓冲层。

本实用新型通过将外延层的侧面制作成复数个倾斜面，使得位于最下方的倾斜面的斜率小于其余倾斜面斜率，这种结构既避免牺牲过多的上层发光区域，又使得最下方的倾斜面平缓，增大N型层的横向扩展面积，降低横向扩展的阻抗，从而有效提升电子的横向扩展能力，进而降低发光二极管的正向电压。

附图说明

图1为现有技术的一种发光二极管截面结构示意图。

图2为现有技术的另一种发光二极管截面结构示意图。

图3为本实用新型之发光二极管截面结构示意图。

附图标注： 10、衬底；20、缓冲层；30、外延层；31、N型层；32、发光层；33、P型层；40、台面；41、侧面区域；411、第一倾斜面；412、第二倾斜面；42、底面区域;50、电子阻挡层；60、电流扩展层；70、P电极；80、N电极。

具体实施方式