[实用新型]一种发光二极管有效
申请号: | 202021198300.2 | 申请日: | 2020-06-25 |
公开(公告)号: | CN212161844U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 毕东升;虞浩;黄照明;蔡家豪;张家豪 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/14 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括衬底、设置于所述衬底之上的外延层、以及与所述外延层电性连接的P电极和N电极,所述外延层包括N型层、发光层和P型层,其特征在于:所述外延层的侧面具有裸露的台面,所述台面包括侧面区域和底面区域,所述侧面区域具有复数个倾斜面,位于最下方的所述倾斜面的斜率小于其余所述倾斜面的斜率。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述倾斜面包括第一倾斜面和与所述第一倾斜面连接的第二倾斜面。
3.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于:所述第一倾斜面从所述P型层的上表面延伸至所述发光层的下表面,所述第二倾斜面从所述发光层的下表面延伸至所述底面区域。
4.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于:所述第一倾斜面与所述发光层成角度A,所述第二倾斜面与所述底面区域的反向延伸线成角度B,所述角度A大于所述角度B。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管,其特征在于:所述角度A 为30度~90度,所述角度B为10度~60度。
6.根据权利要求2所述的一种发光二极管,其特征在于:所述第一倾斜面与所述第二倾斜面的交界处低于所述N型层的上表面且高于所述底面区域。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述P型层和所述发光层之间还包括电子阻挡层。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管,其特征在于:所述电子阻挡层为P型氮化镓铝层。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述P电极与所述P型层之间设置电流扩展层。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管,其特征在于:所述衬底和所述外延层之间设置缓冲层。
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