[实用新型]一种复合膜层台面保护结构

说明书

本实用新型公开一种复合膜层台面保护结构，属于半导体器件技术领域，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结,能够实现可控硅PN结的保护。在中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力强的掺氯二氧化硅，使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。解决了现有技术中出现的问题。

技术领域

本实用新型一种复合膜层台面保护结构，属于半导体器件技术领域。

背景技术

如图1所示，现有技术中sipos膜为一种常用的通过氧比例来控制电荷，从而实现高耐压和高温度特性的特种钝化膜，存在的弊端是漏电流偏大，常规Sipos膜是按照Si_XO_Y比例形成的(一般O：Si约45％左右)，可以认为是一种半绝缘膜，所以漏电流会偏大。因此怎样有效减少漏电流成为目前亟需解决的技术问题。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种复合膜层台面保护结构，解决了现有技术中出现的问题。

本实用新型所述的一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I、掺磷二氧化硅层、掺氯二氧化硅层和sipos层II，所述沟槽的下方设有PN结。

进一步的，sipos层II的外部设有一玻璃层。

进一步的，sipos层I膜层厚度为

进一步的，掺磷二氧化硅层膜层厚度为

进一步的，掺氯二氧化硅层膜层厚度为

进一步的，sipos层II膜层厚度为

本实用新型与现有技术相比，具有如下有益效果：

本实用新型所述的一种复合膜层台面保护结构，能够实现可控硅PN结的保护。同时将sipos层做成夹心饼干式，中间沉积一层吸杂能力强的掺磷二氧化硅层和固定杂质能力抢的掺氯二氧化硅，其中掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅层在本领域内为公知技术，不涉及对材料本身的改进；使得在其工作点附近掺磷二氧化硅层和掺氯二氧化硅起到有效降低漏电流的作用，既保证高耐压和高温度特性，又兼顾了漏电流问题。解决了现有技术中出现的问题。

附图说明

图1为现有技术的结构图；

图2为本实用新型实施例的结构图；

图3为本实用新型实施例中复合膜层的结构图；

图中：1、sipos层I；2、掺磷二氧化硅层；3、掺氯二氧化硅层；4、sipos层II；5、玻璃层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明：

实施例1：

如图2所示，本实用新型所述的一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，沟槽的外部依次设有sipos层I1、掺磷二氧化硅层2、掺氯二氧化硅层3和sipos层II4，所述沟槽的下方设有PN结。

sipos层II4的外部设有一玻璃层5。

sipos层I1膜层厚度为

掺磷二氧化硅层2膜层厚度为

掺氯二氧化硅层3膜层厚度为

sipos层II4膜层厚度为