[实用新型]一种复合膜层台面保护结构有效
| 申请号： | 202021178005.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN212303642U | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 耿开远 | 申请（专利权）人： | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/74 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 张贤 |
| 地址： | 272100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 台面 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合膜层台面保护结构，包括半导体器件台面，半导体器件台面上设有沟槽，其特征在于：所述的沟槽的外部依次设有sipos层I(1)、掺磷二氧化硅层(2)、掺氯二氧化硅层(3)和sipos层II(4)，所述沟槽的下方设有PN结。
2.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层II(4)的外部设有一玻璃层(5)。
3.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层I(1)膜层厚度为
4.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的掺磷二氧化硅层(2)膜层厚度为
5.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的掺氯二氧化硅层(3)膜层厚度为
6.根据权利要求1所述的复合膜层台面保护结构，其特征在于：所述的sipos层II(4)膜层厚度为
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济宁东方芯电子科技有限公司，未经济宁东方芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021178005.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种卧式光缆接头盒
- 下一篇：活性炭混料机的自动上料装置
