[实用新型]一种半导体元器件用真空烧结装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体元器件用真空烧结装置，涉及烧结装置的技术领域。其技术要点是：包括烧结室，所述烧结室的上侧设有出烟口，所述烧结室的下端设有入料口，所述入料口的下侧设有料台，所述料台的下侧设有支撑座，所述支撑座的上端开设有滑槽，所述料台通过支撑腿滑动连接于所述滑槽内，所述支撑腿插接于所述料台的下表面，所述料台一侧的侧壁通过第一连接组件连接有第一气缸，所述料台的下表面设有第二气缸，所述第二气缸通过第二连接组件连接于所述料台。设置的料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到另一侧，再通过第二连接组件对料台进行升降，具有便于对料台进行移动运输的特点。

技术领域

本实用新型涉及烧结装置的技术领域，更具体地说，它涉及一种半导体元器件用真空烧结装置。

背景技术

目前高温烧结装置广泛应用于金属锻造、芯片制造等领域，在芯片的制造过程中需要人工的将芯片放置在料台上，而料台在烧结炉的下侧，存在安全隐患。

在公告号为CN209960977U的中国实用新型专利公开了一种易于清洁的高温烧结设备，用于解决排胶过程胶物在从排风口吹出烧结室的过程中附着在烧结室上壁及排风口内壁，从而堵塞排风口，影响排风口的工作效果，以及影响芯片性能的问题，其包括烧结室，所述烧结室顶部设置有与外界联通的排风口，所述烧结室下方开设有入料口，入料口下方设置有与入料口相配套的料台，料台上方设置有隔热层，料台连接有液压装置，通过液压装置驱动上下，烧结室外部设有通风装置，所述通风装置连接位于烧结室内壁的出风管，所述隔热层上方连接有一外壁沿其母线方向阵列有刮刀的清洁罩，隔热层下方设有一旋转装置，所述旋转装置与隔热层中心位置连接。使用时，首先将芯片放置于相应位置，然后将料台固定至相应位置，打开控制机关控制液压装置启动，液压装置收缩，带动整个料台及料台支撑座上升至入料口位置，密封圈将入料口密封，此时清洁罩位于烧结室顶部，清洁罩外壁的刮刀与排风口内壁及烧结室顶部相接触，料台支撑座边缘的位置开关与烧结室支撑架上的位置开关接触，液压装置停止运动。此时打开烧结室加热开关，同时打开料台下方连接的电机，在电机作用下芯片在烧结室内旋转从而使芯片烧结更均匀，此时清洁罩也在电机带动下旋转，清洁罩外壁滑移连接的刮刀旋转清洁烧结室顶部内壁及排风口附着的芯片烧结过程中产生的胶体。

上述的现有技术方案存在以下缺陷：上述装置中料台只能在竖直方向上进行移动，由于烧结室内的温度较高，刚取出的料台温度较高，对其移动不便。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种半导体元器件用真空烧结装置，设置有料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到另一侧，再通过第二连接组件对料台进行升降，具有便于对料台进行移动运输的特点。

本实用新型的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室，所述烧结室的上侧设有出烟口，所述烧结室的下端设有入料口，所述入料口的下侧设有料台，所述料台的下侧设有支撑座，所述支撑座的上端开设有滑槽，所述料台通过支撑腿滑动连接于所述滑槽内，所述支撑腿插接于所述料台的下表面，所述料台一侧的侧壁通过第一连接组件连接有第一气缸，所述料台的下表面设有第二气缸，所述第二气缸通过第二连接组件连接于所述料台。

通过采用上述技术方案，设置有放置半导体元器件的料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到烧结室下方，再通过第二连接组件对料台进行升降，使得料台移动至烧结室入料口位置，能够有效的降低上述背景技术提到的安全隐患。

本实用新型进一步设置为：所述第一连接组件包括固定块与卡接杆，所述固定块在竖直方向上开设有嵌槽，所述卡接杆卡接于所述固定块内。

通过采用上述技术方案，固定块与卡接杆之间通过竖直开设的嵌槽连接，从而实现卡接杆与固定块在水平方向上的连接，同时当第二气缸推动料台沿竖直方向移动时，料台与与其插接的支撑腿分离，同时固定块与卡接杆在竖直方向分离，从而实现第一连接组件推动料台沿滑槽移动，同时不影响料台在第二气缸作用下沿竖直方向移动。