[实用新型]一种半导体元器件用真空烧结装置

权利要求书

1.一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室（1），所述烧结室（1）的上侧设有出烟口（2），所述烧结室（1）的下端设有入料口（3），所述入料口（3）的下侧设有料台（4），其特征在于：所述料台（4）的下侧设有支撑座（5），所述支撑座（5）的上端开设有滑槽（6），所述料台（4）通过支撑腿（7）滑动连接于所述滑槽（6）内，所述支撑腿（7）插接于所述料台（4）的下表面，所述料台（4）一侧的侧壁通过第一连接组件（9）连接有第一气缸（10），所述料台（4）的下表面设有第二气缸（12），所述第二气缸（12）通过第二连接组件（11）连接于所述料台（4）。

2.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述第一连接组件（9）包括固定块（91）与卡接杆（92），所述固定块（91）在竖直方向上开设有嵌槽（93），所述卡接杆（92）卡接于所述固定块（91）内。

3.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述第二连接组件（11）包括连接板（111），所述连接板（111）的上表面设有若干凸起（112），所述料台（4）的下表面设有与若干所述凸起（112）卡接的凹槽（113），所述第二气缸（12）输出轴完全收缩时，所述凸起（112）与所述凹槽（113）分离。

4.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述料台（4）的上表面设有隔热层（13）。

5.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述料台（4）的上表面设有若干载物槽（14）。

6.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述烧结室（1）双层设置，且内侧的侧壁上开设有若干出气口（15）。

7.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述出烟口（2）一侧设有转动杆（16），所述出烟口（2）处盖设有过滤网（17），所述过滤网（17）双层设置，且夹层内装有吸附剂（18），所述过滤网（17）的一侧通过固定杆（19）连接于所述转动杆（16）。

8.根据权利要求7所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述过滤网（17）的上表面盖设有盖板（20），所述盖板（20）一侧与所述过滤网（17）铰接连接。