[实用新型]半导体存储器件

说明书

本实用新型公开了一种半导体存储器件，包括一半导体基板，其具有一存储区以及位于所述存储区周围的一外围区、位线结构，位在所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储区与所述外围区、间隔物结构，位在所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述存储区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接、以及牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中，其实用新型特点在于器件的存储单元区与外围区具有同样的单元设置，可以解决图形密度不同所导致的微负载效应问题并让出更多的存储单元区域。

技术领域

本实用新型公开的实施方式涉及一种半导体存储器件，更具体来说，其涉及一种具有位于位线之间的间隔物结构以及位于周边区的位线接触结构的半导体存储器件。

背景技术

存储器件是一种集成电路，其通常在计算机系统中用来存储数据，制作成一或多个具有个别存储单元的矩阵型态。存储器件可使用位线(也可称为数位线、数据线或读出线)与字线(也可称为存取线)来进行写入与读取的动作，其中位线可沿着矩阵的纵列电连接到存储单元，而字线可沿着矩阵的横列电连接到存储单元。每个存储单元都可经由一条位线与一条字线的组合来个别寻址。

存储器件可为易失性、半易失性或是非易失性性质。在没有供电的情况下，非易失性的存储器件可以存储数据达一段很长的时间，易失性的存储器件所存储的数据则是会消散，因此需要透过不断的刷新/重写来维持其数据存储。存储器件会使用电容器等部件来存储电荷，通过读取电容器的电荷来判定存储单元是位于哪一种存储态，例如“0”或“1的存储态”，以此达到数据存储与读取的目的。存储器件中也会具有晶体管等电子部件来控制栅极的开关以及电荷的存储与释放与否。存储器件的存储单元数组区的周边会有外围电路区的存在，位线与字线会从存储数组区延伸至所述外围电路区，并在该区经由其他导线以及接触件等互连结构连接到外部电路。

在制作存储器件或其他电路时，使其部件不断地微缩、变得更为紧密、以达到更高的单位面积存储容量一直是业界努力不变的目标。然而，随着存储器件不断地微缩，其制作工艺中也会遇到许多有待克服的问题，例如图形密度不同所导致的微负载效应，或是各部件之间过于紧密而导致布局空间不足的问题。本实用新型的动机即为要克服上述电路制作时所遇到的一些问题。

实用新型内容

为了解决上述存储器件工艺中所遭遇的问题，本实用新型于此提出了一种新颖的半导体存储器件，其特点在于器件的存储单元区与周边区具有同样的单元设置，可以解决图形密度不同所导致的微负载效应问题并让出更多的存储单元区域，且位于外围区的位线接触结构具有伸长的外型且采用两侧周边区交互设置的方式，可有效增加接触结构在连接时的工艺容限，克服布局空间部不足的问题。

本实用新型的面向之一在于提出一种半导体存储器件，包括一半导体基板，其具有一存储区以及位于所述存储区周围的一外围区、位线结构，位在所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储区与所述外围区、间隔物结构，位在所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述存储区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接、以及牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中。

本实用新型的另一面向在于提出一种半导体存储器件，包含一半导体基板、位线结构，位在所述半导体基板的外围区的一器件隔离层上、间隔物结构，位在所述器件隔离层上且位在所述位线结构之间、牺牲层，位在所述器件隔离层上且位在所述位线结构之间、以及位线接触结构，位在所述位线结构的正上方，其中每个位线接触结构以交互方式连接在一个所述位线结构上。

本实用新型的又一面向在于提出一种半导体存储器件，包含一半导体基板，具有一器件隔离层界定出一有源区，其中所述有源区包含位于所述有源区中间的一第一掺杂区与分别位于所述有源区两端的两第二掺杂区、以及一字线，埋入在所述半导体基板中并穿过所述第一掺杂区与一所述第二掺杂区之间的所述有源区。