[实用新型]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包含：

一半导体基板，具有一存储单元区以及位于所述存储单元区周围的一外围区；

位线结构，位于所述半导体基板之上并往第一方向延伸经过所述存储单元区与所述外围区；

间隔物结构，位于所述位线结构之间；

存储节点接触结构，位于所述存储单元区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接；以及

牺牲层，位于所述外围区中的所述间隔物结构与所述位线结构所界定出的空间中。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构位于所述外围区中的部位是位于器件隔离层上。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构与所述器件隔离层之间还具有一绝缘夹层。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线结构从所述存储单元区一侧的所述外围区延伸经过所述存储单元区至所述存储单元区另一侧的所述外围区，且更包含位线接触结构位于所述存储单元区两侧的所述外围区上并在两侧的所述外围区上以交互方式连接在所述位线结构上。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构与所述位线结构的金属层直接接触。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构具有一长边，所述长边与所述位线结构的延伸方向平行。

7.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构的长边长过于所述间隔物结构与所述牺牲层。

8.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，更包含一覆盖绝缘层，位于位线结构、所述间隔物结构以及所述牺牲层上，且所述位线接触结构位于所述覆盖绝缘层中。

9.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述间隔物结构与所述牺牲层都是介电绝缘材料且材料不同。

10.一种半导体存储器件，其特征在于，包含：

一半导体基板；

位线结构，位于所述半导体基板的外围区的一器件隔离层上；

间隔物结构，位于所述器件隔离层上且位于所述位线结构之间；

牺牲层，位于所述器件隔离层上且位于所述位线结构之间；以及

位线接触结构，位于所述位线结构的正上方，其中每个位线接触结构以交互方式连接在一个所述位线结构上。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构包含一上半部位与一下半部位，所述上半部位的平面面积大于所述下半部位的平面面积。

12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其特征在于，更包括一覆盖绝缘层位于所述位线结构、所述间隔物结构以及所述牺牲层上，其中所述位线接触结构的所述上半部位位于所述覆盖绝缘层中，所述位线接触结构的所述下半部位位于所述间隔物结构之间以及所述牺牲层之间。

13.如权利要求11所述的半导体存储器件，其特征在于，所述位线接触结构的所述上半部位的中线与所述位线接触结构的所述下半部位的中线不对齐。

14.如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，更包含一绝缘夹层介于所述位线结构、所述间隔物结构以及所述牺牲层与所述器件隔离层之间。

15.如权利要求10所述的半导体存储器件，其特征在于，所述间隔物结构与所述牺牲层都是介电绝缘材料且材料不同。