[实用新型]一种承片台及晶圆加工系统

说明书

本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括承载面，承载面包括凹槽，凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使晶圆位于承载面上时，晶圆的背面仅部分位置直接与承载面相接触，晶圆背面的边缘为悬空状态，使晶圆在中转时将易堆积和积累硅渣的背面边缘区域悬空，避免了已加工的晶圆对承片台和待加工的晶圆的影响，有助于提高产品的质量及性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体硅外延技术领域，具体涉及一种承片台以及晶圆加工系统。

背景技术

随着微电子技术的飞速发展，各电子元件及芯片的集成密度不断上升，尺寸越来越小，晶圆进行硅外延所要求的精度也越来越高。硅外延是指在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。背面硅渣，是硅外延领域中难以回避的问题，硅外延诞生的时候背面硅渣就随之而来。

晶圆进行硅外延的过程是在高温下利用氢气还原硅的氯化物生成硅单质，并沉积在晶圆表面。而背面硅渣，是在晶圆进行硅外延过程中同时在晶圆的背面也生长了硅单质，且主要集中分布在晶圆背面边缘宽约5mm的环状带内。背面硅渣形成后，晶圆产生不平整，严重影响后续的光刻质量。部分现有技术选择在晶圆进行硅外延后再对晶圆背面进行人工打磨，但该方法严重影响晶圆表面的清洁度，且需要耗费更多的清洗成本来对打磨后的晶圆进行清洗处理。

通过大量的试验及理论分析，发现背面硅渣呈现以下特点：1、集中分布在晶圆背面边缘宽约5mm的环状带内；2、每片2～3处呈块状密集分布，且在每片晶圆上的位置相同；3、对承片台进行清洁后，背面硅渣消失，但随着加工片数增多，背面硅渣又逐渐聚集。综合背面硅渣的特点，并结合外延前及外延后的晶圆都通过承片台进行中转的步骤，可以得出：外延后的晶圆背面边缘的少量硅渣颗粒在承片台中转时，附着在承片台上，污染了承片台的承载面；设备在装下一片晶圆时，未外延的晶圆背面在承片台上粘附了上次中转时残留在承片台上的硅渣颗粒；外延后背面硅渣的严重程度增加，取片时掉在承片台上的硅渣颗粒更多，如此往复，形成恶性循环。

因此，为了提高产品质量并控制生产成本，设计一种可以预防和改善晶圆背面硅渣的技术方案是现阶段亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种承片台及晶圆加工系统，通过在承载面上设置凹槽，实现了晶圆的背面边缘区域在承片台处的悬空，有效减轻了已加工晶圆的背面硅渣对待加工的晶圆的影响。有助于提高硅外延的质量及性能，进一步地，还可设置相应的吹扫装置对承片台进行吹扫，保证承载面的清洁。

为实现上述目的，根据本实用新型的一方面，提供一种承片台，其特征在于，所述承片台的承载面包括凹槽，所述凹槽的尺寸和位置与晶圆相匹配，使所述晶圆位于所述承载面上，所述晶圆的边缘为悬空状态。

优选地，所述凹槽呈环形，所述凹槽的截面宽度不小于2mm。

优选地，所述凹槽的深度为2-4mm。

优选地，所述承片台还包括凹口，所述凹口与机械手相匹配，便于晶圆的放置和拾取。

优选地，所述凹口为矩形、圆角矩形、扇形中的任意一种。

优选地，所述凹槽包括至少两组，至少两组所述凹槽同心设置，每组凹槽与一种尺寸的晶圆相匹配。

优选地，以所述凹槽为界，所述承载面的高度从外到内逐渐降低，所述承载面最低与最高之间的高度差不大于1mm。

优选地，所述凹槽将所述承载面划分为多个区域，所述承载面各区域的高度相同。

优选地，所述承片台适用的晶圆尺寸包括5英寸、6英寸、8英寸和12英寸中的一种或几种。

优选地，所述承片台还设置有吹扫装置，以吹扫晶圆中转时掉落的硅渣。