[实用新型]一种承片台及晶圆加工系统

权利要求书

1.一种承片台，包括承载面，其特征在于，所述承载面包括凹槽，所述凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使所述晶圆位于所述承载面上，所述晶圆的边缘为悬空状态，所述承片台还包括凹口，所述凹口与机械手相匹配，便于晶圆的放置和拾取。

2.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述凹槽呈环形，所述凹槽的宽度不小于2mm。

3.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述凹槽的深度为2-4mm。

4.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述凹口为矩形、圆角矩形、扇形中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述凹槽包括至少两组，至少两组所述凹槽同心设置，每组凹槽与一种尺寸的晶圆相匹配。

6.根据权利要求5所述的承片台，其特征在于，以所述凹槽为界，所述承载面的高度从外到内逐渐降低，所述承载面最低与最高之间的高度差不大于1mm。

7.根据权利要求5所述的承片台，其特征在于，所述凹槽将所述承载面划分为多个区域，所述承载面各区域的高度相同。

8.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述承片台适用的晶圆尺寸包括5英寸、6英寸、8英寸和12英寸中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的承片台，其特征在于，所述承片台还设置有吹扫装置，以吹扫晶圆中转时掉落的硅渣。

10.一种晶圆加工系统，其特征在于，包括：

第一晶圆花篮，待加工的晶圆放置于所述第一晶圆花篮；

第一机械手，所述第一机械手将待加工的晶圆从所述第一晶圆花篮移动至承片台，以及所述第一机械手将已加工的晶圆从所述承片台移动至第二晶圆花篮；

承片台，包括承载面，所述承载面包括凹槽，所述凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使所述晶圆位于所述承载面上，所述晶圆的边缘为悬空状态；

第二机械手，所述第二机械手将待加工的晶圆从所述承片台移动至反应腔，以及所述第二机械手将已加工的晶圆从反应腔移动至所述承片台；

反应腔，待加工的晶圆放置在所述反应腔中进行加工；

第二晶圆花篮，已加工的晶圆放置于所述第二晶圆花篮。

11.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述凹槽呈环形，所述凹槽的宽度不小于2mm。

12.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述凹槽的深度为2-4mm。

13.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述承片台还包括凹口，所述凹口与机械手相匹配，便于晶圆的放置和拾取。

14.根据权利要求13所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述凹口为矩形、圆角矩形、扇形中的任意一种。

15.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述凹槽包括至少两组，至少两组所述凹槽同心设置，每组凹槽与一种尺寸的晶圆相匹配。

16.根据权利要求15所述的晶圆加工系统，其特征在于，以所述凹槽为界，所述承载面的高度从外到内逐渐降低，所述承载面最低与最高之间的高度差不大于1mm。

17.根据权利要求15所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述凹槽将所述承载面划分为多个区域，所述承载面各区域的高度相同。

18.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述承片台适用的晶圆尺寸包括5英寸、6英寸、8英寸和12英寸中的一种或几种。

19.根据权利要求10所述的晶圆加工系统，其特征在于，所述承片台还设置有吹扫装置，以吹扫晶圆中转时掉落的硅渣。