[实用新型]一种晶圆切割用内冷式刀头结构有效

专利信息
申请号: 202021139422.4 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN212859969U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 王海军;薛佳勇;薛佳伟 申请(专利权)人: 天津众晶半导体材料有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市北*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 切割 用内冷式 刀头 结构
【说明书】:

一种晶圆切割用内冷式刀头结构,包括刀柄、刀杆、保护壳、密封圈、刀头连接部、刀头本体、接口端、进水管、进水孔,刀柄下端固定连接有刀杆,刀杆底部固定连接有刀头本体,刀头本体外部设有保护壳,保护壳与刀头本体转动连接,其上、下与刀头本体的连接处分别设有密封圈,保护壳及刀头本体位于保护壳内的部分为中空结构,刀头本体的侧壁上开设有进水孔,保护壳侧壁上设有接口端,接口端通过法兰与进水管的一端固定连接,进水管的另一端与外部的循环水箱相连接。本实用新型可直接对刀头本体的中心位置进行降温,保证了降温工作的高效进行,不需要停工降温,提高了生产效率,并且内冷却式降温达到规定的降温标准所需冷却液较少,减少了冷却成本。

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆切割用内冷式刀头结构。

背景技术

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

单晶硅片:硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。

单晶硅在生产加工过程中,需要对晶圆进行切割,现有的切割刀头结构普遍为外水冷式,此种冷却方式冷却液由切割刀头的外部向内进行传递降温,而刀头在切割加工过程中热量通常集中在刀头的中心位置,外冷却式降温很难对刀头进行高效的降温,经常需要停工降温,极大的降低了生产效率,此外,外冷却式降温在实际应用中耗费冷却液较多,增加了冷却成本。

发明内容

根据以上技术问题,本实用新型提供一种晶圆切割用内冷式刀头结构,包括刀柄、刀杆、保护壳、密封圈、刀头连接部、刀头本体、接口端、进水管、进水孔,所述刀柄下端固定连接有刀杆,所述刀杆底部固定连接有刀头本体,所述刀头本体底部设有刀头连接部,所述刀头本体外部设有保护壳,所述保护壳与刀头本体转动连接,其上、下与刀头本体的连接处分别设有密封圈,所述保护壳及刀头本体位于保护壳内的部分为中空结构,所述刀头本体的侧壁上开设有进水孔;

所述保护壳侧壁上设有接口端,所述接口端通过法兰与进水管的一端固定连接,所述进水管的另一端与设置在外部的循环水箱相连接。

进一步的,所述保护壳为圆柱形结构。

进一步的,所述进水孔的数量为N个,N≥1。

本实用新型的有益效果为:本实用新型为一种晶圆切割用内冷式刀头结构,通过在刀头本体外部设有内部中空的保护壳,以及在刀头本体的侧壁开设有进水孔,将冷却水引向刀头本体的内部,直接对刀头本体的中心位置进行降温,保证了降温工作的高效进行,不需要停工降温,提高了生产效率,并且内冷却式降温达到规定的降温标准所需冷却液较少,减少了冷却成本。

附图说明

图1为本实用新型主体结构图;

图2为本实用新型剖视图。

如图,刀柄-1、刀杆-2、保护壳-3、密封圈-4、刀头连接部-5、刀头本体-6、接口端-7、进水管-8、进水孔-9。

具体实施方式

下面结合附图所示,对本实用新型进行进一步说明:本实用新型为一种晶圆切割用内冷式刀头结构,包括刀柄1、刀杆2、保护壳3、密封圈4、刀头连接部5、刀头本体6、接口端7、进水管8、进水孔9,所述刀柄1下端固定连接有刀杆2,所述刀杆2底部固定连接有刀头本体6,所述刀头本体6底部设有刀头连接部5,所述刀头本体6外部设有保护壳3,所述保护壳3与刀头本体6转动连接,其上、下与刀头本体6的连接处分别设有密封圈4,所述保护壳3及刀头本体6位于保护壳3内的部分为中空结构,所述刀头本体6的侧壁上开设有进水孔9;

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