[实用新型]一种晶圆电镀装置有效

专利信息
申请号: 202021137557.7 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN213327878U 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 李春阳;方梁洪;任超;刘明明;彭祎;梁于壕 申请(专利权)人: 宁波芯健半导体有限公司
主分类号: C25D7/12 分类号: C25D7/12;C25D17/00;C25D17/02;C25D17/10
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 315336 浙江省宁波市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电镀 装置
【说明书】:

实用新型涉及一种晶圆电镀装置,包括:电镀槽,所述电镀槽包括槽体;电力线挡板,所述电力线挡板竖直放置在所述槽体的中间位置,所述电力线挡板为圆形板,所述电力线挡板上设有挡板通孔,所述电力线挡板位于所述槽体的下半部分的两侧对称设有电镀遮挡部,所述电镀遮挡部为由遮挡直线和遮挡弧线围成的封闭区域,所述遮挡弧线与所述电力线挡板相切,所述遮挡弧线与所述电力线挡板的切线至所述遮挡直线的间距为2‑4cm;阳极材料板,所述阳极材料板靠近所述槽体一侧的内壁设置;晶圆固定部,所述晶圆固定部靠近所述槽体的远离所述阳极材料板的一侧的内壁设置。实施本实用新型,可提升晶圆级封装中凸块高度的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及芯片封测领域,特别涉及一种晶圆电镀装置。

背景技术

倒装凸块技术属于晶圆级封装的一种,其采用电化学沉积的方式在芯片的焊垫开口或再布线开口上电镀一定高度的铜和锡形成凸块,封装完成后将晶圆切割成单颗芯片,然后将凸块倒装到基板框架上,通过凸块将芯片内部的功能与外部器件进行导通。如果芯片上凸块之间的高度相差较大,将容易导致虚焊等焊接不良的异常,从而影响芯片的性能。

导致虚焊等焊接不良的异常的原因较多,如电镀槽体和电镀药水的特性、电力线挡板的通孔形状、电力线挡板在电镀槽中的位置以及电镀过程中的边缘效应等都将影响电力线的分布从而影响凸块高度的均匀性。

实用新型内容

针对现有技术的上述问题,本实用新型的目的在于提供一种晶圆电镀装置,通过对晶圆电镀装置中电力线挡板进行改造,从而提升晶圆级封装中凸块高度的均匀性。

本实用新型提供一种晶圆电镀装置,所述晶圆电镀装置包括:电镀槽,所述电镀槽包括用于盛放电镀液的槽体;电力线挡板,所述电力线挡板竖直放置在所述槽体的中间位置,所述电力线挡板为圆形板,所述电力线挡板上设有挡板通孔,所述电力线挡板位于所述槽体的下半部分的两侧对称设有电镀遮挡部,所述电镀遮挡部为遮挡直线和遮挡弧线围成的封闭区域,所述遮挡弧线与所述电力线挡板相切,所述遮挡弧线与所述电力线挡板的切线至所述遮挡直线的间距为2-4cm;阳极材料板,所述阳极材料板靠近所述槽体一侧的内壁设置,所述阳极材料板与所述电力线挡板相对;晶圆固定部,所述晶圆固定部靠近所述槽体的远离所述阳极材料板的一侧的内壁设置,所述晶圆固定部用于将待电镀的晶圆固定在与所述电力线挡板相对的位置。

进一步地,所述电镀遮挡部上开设有遮挡部通孔,所述遮挡部通孔的孔径小于等于所述电力线挡板的孔径。

进一步地,所述遮挡部通孔在所述电镀遮挡部上均匀分布。

进一步地,所述遮挡部通孔的孔径为1-2mm。

进一步地,所述电镀遮挡部为高温胶带。

进一步地,所述挡板通孔的孔径为2-4mm。

进一步地,所述电力线挡板上均匀设有3000-4000个挡板通孔。

进一步地,所述电力线挡板的直径与所述待电镀的晶圆的直径一致。

进一步地,所述电力线挡板的直径为20cm,所述电力线挡板上均匀设有3000-4000个挡板通孔。

进一步地,所述电力线挡板的厚度为5-20mm。

进一步地,所述阳极材料板为阳极铜板或阳极锡板。

由于上述技术方案,本实用新型具有如下有益效果:

通过将电力线挡板布置在阳极材料板和待电镀的晶圆的中间位置,并利用电镀遮挡部对电力线挡板进行改造,从而调节了电镀过程中电力线的分布,提升了电镀后凸块高度的均匀性。

附图说明

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