[实用新型]一种热管理系统及新能源汽车

权利要求书

1.一种热管理系统，其特征在于，包括温度传感器、控制芯片、制冷信号输入电路、制冷信号输出电路、制热信号输入电路、制热信号输出电路以及半导体制冷片，由所述温度传感器采集温度信号并将所述温度信号输出至所述控制芯片，所述控制芯片根据所述温度信号生成制冷信号或者制热信号；

当所述控制芯片生成制冷信号时，所述控制芯片将所述制冷信号输出至所述制冷信号输入电路，由所述制冷信号输入电路进行放大及隔离处理后，将处理后的制冷信号输出至所述制冷信号输出电路，由所述制冷信号输出电路输出处理后的制冷信号至所述半导体制冷片的两端，以使所述半导体制冷片制冷；

当所述控制芯片生成制热信号时，所述控制芯片将所述制热信号输出至所述制热信号输入电路，由所述制热信号输入电路进行放大及隔离处理后，将处理后的制热信号输出至所述制热信号输出电路，由所述制热信号输出电路输出处理后的制热信号至所述半导体制冷片的两端，以使所述半导体制冷片制热。

2.根据权利要求1所述的热管理系统，其特征在于，所述制冷信号输入电路包括第一电阻、第二电阻、第一三极管和第一光耦，所述第一电阻的一端连接所述控制芯片的P1.3端，所述第一电阻的另一端连接所述第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极连接所述第一光耦的阴极，所述第一光耦的阳极通过所述第二电阻连接3.3V电源，所述第一光耦的集电极和发射极均连接所述制冷信号输出电路。

3.根据权利要求2所述的热管理系统，其特征在于，所述制冷信号输出电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一MOS管和第二MOS管，所述第四电阻的一端连接所述第一光耦的集电极，所述第四电阻的另一端连接第三电阻的一端和第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极连接所述第三电阻的另一端和供电电源，所述第一MOS管的源极连接所述半导体制冷片的正极，所述第五电阻的一端连接所述第二MOS管的栅极和所述第一光耦的发射极，所述第五电阻的另一端和第二MOS管的源极均接地，所述第二MOS管的漏极连接所述半导体制冷片的负极。

4.根据权利要求3所述的热管理系统，其特征在于，所述第一MOS管为P沟道MOS管，所述第二MOS管为N沟道MOS管。

5.根据权利要求1所述的热管理系统，其特征在于，所述制热信号输入电路包括第六电阻、第七电阻、第二三极管和第二光耦，所述第六电阻的一端连接所述控制芯片的P1.4端，所述第六电阻的另一端连接所述第二三极管的基极，所述第二三极管的发射极接地，所述第二三极管的集电极连接所述第二光耦的阴极，所述第二光耦的阳极通过所述第七电阻连接3.3V电源，所述第二光耦的集电极和发射极均连接所述制热信号输出电路。

6.根据权利要求5所述的热管理系统，其特征在于，所述制热信号输出电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第三MOS管和第四MOS管，所述第九电阻的一端连接所述第二光耦的集电极，所述第九电阻的另一端连接第八电阻的一端和第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述第八电阻的一端和第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述第八电阻的另一端和供电电源，所述第三MOS管的源极连接所述半导体制冷片的负极，所述第十电阻的一端连接所述第四MOS管的栅极和所述第二光耦的发射极，所述第十电阻的另一端和第四MOS管的源极均接地，所述第四MOS管的漏极连接所述半导体制冷片的正极。

7.根据权利要求6所述的热管理系统，其特征在于，所述第三MOS管为P沟道MOS管，所述第四MOS管为N沟道MOS管。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的热管理系统，其特征在于，所述控制芯片采用AT89系列的单片机。

9.一种新能源汽车，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的热管理系统。