[实用新型]一种硅片镀膜片

说明书

本实用新型公开了一种硅片镀膜片，包括硅片本体，其特征在于，硅片本体的端面上沉积有复合功能膜层，复合功能膜层包含硅片本体依次向外沉积的氮化硅膜层一、氮化硅膜层二、耐高温阻燃膜层及氧化硅膜层，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的厚度依次递增，氮化硅膜层一及氮化硅膜层二的折射率均大于氧化硅膜层的折射率，耐高温阻燃膜层设于氮化硅膜层二及氧化硅膜层之间。本实用新型的有益效果：本申请通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。

技术领域

本实用新型涉光伏能源技术领域，具体来说，涉及一种硅片镀膜片。

背景技术

太阳能电池主要是将太阳光转换为电能，在实际生活中属于一种绿色能源，太阳能电池片是由原硅片经过清洗硅片表面、制绒、扩散形成PN结、去除磷硅玻璃、沉积氮化硅、印刷、烧结形成的，清洗硅片表面主要是在电池生产工序的第一步，主要是利用在切割硅片过程中形成的损伤层，通过化学药液将硅片表面进行腐蚀，从而在硅片表面形成高低不平的表面以及大量孔洞，从而降低硅片表面的反射率，提升电池转换效率。

然而，因为氮化硅的沉积大部分使用的管式PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)，管式PECVD工艺实际镀膜过程中存在镀膜匀性不佳的现象，硅片沉积的氮化硅的厚度不同，呈现的颜色不同，经常造成色差率高，上述缺陷限制了硅电池片的生产效率及生产周期。

实用新型内容

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出硅片镀膜片，能够通过改善太阳能电池用硅片的膜层结构以及镀膜使用工艺，使得太阳能电池用镀膜硅片的使用性能获得显著进步。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：一种硅片镀膜片，包括硅片本体，其特征在于，所述硅片本体的端面上沉积有复合功能膜层，所述复合功能膜层包含所述硅片本体依次向外沉积的氮化硅膜层一、氮化硅膜层二、耐高温阻燃膜层及氧化硅膜层，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的厚度依次递增，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的折射率均大于所述氧化硅膜层的折射率，所述耐高温阻燃膜层设于所述氮化硅膜层二及所述氧化硅膜层之间。

进一步地，所述氮化硅膜层一的厚底为10～30nm，折射率为1.8～2.0。

进一步地，所述氮化硅膜层二的厚底为20～50nm，折射率为2.0～2.3。

进一步地，所述氧化硅膜层的厚底为0.5～3nm，折射率为1.0～1.5。

进一步地，所述耐高温阻燃膜层的厚度为5～15nm，折射率为1.0～1.8。

进一步地，所述氮化硅膜层一及所述氮化硅膜层二的折射率大于所述氧化硅膜层的折射率。

本实用新型的有益效果：鉴于现有技术中存在的不足，本申请通过优化硅片膜层的结构以及厚度参数，使得硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率得以显著提高，采用本申请优化工艺，能够减少制绒、扩散步骤，降低了对硅片的损伤和硅片碎片率，减少了原料消耗，降低了生产成本，提高了工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例所述的硅片镀膜片的结构示意图；

图中：1、硅片本体；2、复合功能膜层；2a、氮化硅膜层一；2b、氮化硅膜层二；2c、耐高温阻燃膜层；2d、氧化硅膜层。

具体实施方式