[实用新型]一种硅片镀膜片有效
申请号: | 202021121990.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN212517216U | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 张瑞麟;蔡林林;李江波;曹子玉;孙丹芳;汪平锋 | 申请(专利权)人: | 利基光电科技(九江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
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地址: | 332000 江西省九江市经济技*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 镀膜 | ||
1.一种硅片镀膜片,包括硅片本体(1),其特征在于,所述硅片本体(1)的端面上沉积有复合功能膜层(2),所述复合功能膜层(2)包含所述硅片本体(1)依次向外沉积的氮化硅膜层一(2a)、氮化硅膜层二(2b)、耐高温阻燃膜层(2c)及氧化硅膜层(2d),所述氮化硅膜层一(2a)及所述氮化硅膜层二(2b)的厚度依次递增,所述氮化硅膜层一(2a)及所述氮化硅膜层二(2b)的折射率均大于所述氧化硅膜层(2d)的折射率,所述耐高温阻燃膜层(2c)设于所述氮化硅膜层二(2b)及所述氧化硅膜层(2d)之间。
2.根据权利要求1所述的硅片镀膜片,其特征在于,所述氮化硅膜层一(2a)的厚底为10~30nm,折射率为1.8~2.0。
3.根据权利要求1所述的硅片镀膜片,其特征在于,所述氮化硅膜层二(2b)的厚底为20~50nm,折射率为2.0~2.3。
4.根据权利要求1所述的硅片镀膜片,其特征在于,所述氧化硅膜层(2d)的厚底为0.5~3nm,折射率为1.0~1.5。
5.根据权利要求1所述的硅片镀膜片,其特征在于,所述耐高温阻燃膜层(2c)的厚度为5~15nm,折射率为1.0~1.8。
6.根据权利要求1所述的硅片镀膜片,其特征在于,所述氮化硅膜层一(2a)及所述氮化硅膜层二(2b)的折射率大于所述氧化硅膜层(2d)的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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