[实用新型]用于Micro-LED晶片的吸嘴及LED封装装置有效
| 申请号： | 202021121028.8 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN212209452U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李漫铁;周杰;罗国华;赵敏;陈小超 | 申请（专利权）人： | 惠州雷曼光电科技有限公司;深圳雷曼光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈秀丽 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 micro led 晶片 封装 装置 | ||
1.一种用于Micro-LED晶片的吸嘴，用于吸取LED晶片，相邻两个所述LED晶片的间隙与所述LED晶片的宽度的和为预设间距，其特征在于，所述用于LED晶片的吸嘴包括：
握持本体，所述握持本体开设有第一腔体；以及
吸取本体，所述吸取本体开设有第二腔体，所述吸取本体具有相对的连接端和吸取端；所述连接端与所述握持本体连接，所述第二腔体与所述第一腔体连通；所述吸取端具有吸取面，所述吸取面开设有与所述第二腔体连通的吸附口；所述吸取端的端面的宽度小于所述预设间距。
2.根据权利要求1所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸取端的端面的宽度小于所述LED晶片的宽度。
3.根据权利要求2所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸取端的端面的宽度为0.08mm至0.1mm。
4.根据权利要求1所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸附口的截面的宽度小于所述LED晶片的宽度。
5.根据权利要求4所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸附口的截面的宽度为0.05mm至0.07mm。
6.根据权利要求1所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸取本体包括相连接的连接部和吸取部，所述连接端为所述连接部的远离所述吸取部的一端，所述吸取端为所述吸取部的远离所述连接部的一端；沿远离所述连接部的方向，所述吸取部的横截面的面积逐渐减小。
7.根据权利要求6所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述连接部的横截面的宽度为0.12mm至0.15mm。
8.根据权利要求7所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸取本体的长度大于所述LED晶片的厚度。
9.根据权利要求8所述的用于Micro-LED晶片的吸嘴，其特征在于，所述吸取本体的长度为0.15mm至0.18mm。
10.一种LED封装装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的用于LED晶片的吸嘴。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
