[实用新型]一种无载体的半导体叠层封装结构

说明书

本实用新型公开一种无载体的半导体叠层封装结构，该结构包括：上层封装件和下层封装件；上层封装件包括上层芯片、上层第一管脚、上层第一金属片和上层封装体；上层第一金属片与上层第一管脚电连接，并与上层芯片电连接；上层第一金属片、上层第一管脚由上层封装体露出；下层封装件包括：下层芯片、下层第一管脚、下层第二管脚、第一金属片、下层第二金属片和下层封装体；下层第一金属片通过与下层第一管脚电连接，并与下层芯片电连接；下层第二金属片与下层第二管脚电连接；下层第二金属片、下层第一管脚、下层芯片和下层第二管脚由下层封装体露出；上层第一管脚与下层第二金属片电连接。该叠层封装结构尺寸缩小，节省生产成本，散热性能增强。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种无载体的半导体叠层封装结构。

背景技术

随着半导体工业的发展，半导体产品往小型化发展。叠层封装结构是将多个半导体封装件依次堆叠以形成的新的封装结构。随着半导体器件小型化高密度的需求不断增长，叠层封装技术在逻辑电路和存储器集成领域有广泛的应用，是业界内的首选。

但是，目前业内的叠层封装结构的整个产品的高度都比较高，导致产品整体尺寸较大；并且，叠层封装结构的芯片一般通过环氧树脂封装体向外散热，散热性能较差，如此，叠层封装结构容易因为内部温度升高而无法良好散热，导致影响叠层封装结构的功能和使用寿命。

实用新型内容

本实用新型实施例的一个目的在于：提供一种无载体的半导体叠层封装结构，其尺寸得到缩小。

本实用新型实施例的另一个目的在于：提供一种无载体的半导体叠层封装结构，其具有良好散热性能，可靠性得到提高。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种无载体的半导体叠层封装结构，包括上层封装件和下层封装件；

所述上层封装件包括：

上层芯片；

上层引线框架，其包括上层第一管脚；

上层金属片组件，其包括上层第一金属片；所述上层第一金属片通过上层第一焊接件与所述上层第一管脚电连接，并通过上层第二焊接件与所述上层芯片电连接；

上层封装体，其包覆所述上层芯片、所述上层引线框架和所述上层金属片组件；所述上层第一金属片的一部分由所述上层封装体露出，所述上层第一管脚由所述上层封装体的底部露出；

所述下层封装件包括：

下层芯片；

下层引线框架，其包括相互绝缘的下层第一管脚和下层第二管脚；

下层金属片组件，其包括相互绝缘的下层第一金属片和下层第二金属片；所述下层第一金属片通过下层第一焊接件与所述下层第一管脚电连接，并通过下层第二焊接件与所述下层芯片电连接；所述下层第二金属片与所述下层第二管脚电连接；

下层封装体，其包覆所述下层芯片、所述下层引线框架和所述下层金属片组件；所述下层第二金属片由所述下层封装体的顶部露出，所述下层第一管脚的一部分、所述下层芯片的一部分和所述下层第二管脚的一部分由所述下层封装体露出；

所述上层封装件的底部通过中间结合层与所述下层封装件的顶部连接；所述上层第一管脚与所述下层第二金属片电连接。

作为优选，所述上层第一焊接件、所述上层第二焊接件、所述下层第一焊接件、所述下层第二焊接件均为焊锡层。

作为优选，所述上层第一金属片的顶部由所述上层封装体的顶部露出，所述下层芯片的底部由所述下层封装体的底部露出。

作为优选，所述上层封装体与所述下层封装体之间具有散热间隙，所述上层芯片的底部由所述上层封装体的底部露出于所述散热间隙内。