[实用新型]一种无载体的半导体叠层封装结构

权利要求书

1.一种无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，包括上层封装件(100)和下层封装件(200)；

所述上层封装件(100)包括：

上层芯片(110)；

上层引线框架，其包括上层第一管脚(121)；

上层金属片组件，其包括上层第一金属片(131)；所述上层第一金属片(131)通过上层第一焊接件(141)与所述上层第一管脚(121)电连接，并通过上层第二焊接件(142)与所述上层芯片(110)电连接；

上层封装体(150)，其包覆所述上层芯片(110)、所述上层引线框架和所述上层金属片组件；所述上层第一金属片(131)的一部分由所述上层封装体(150)露出，所述上层第一管脚(121)由所述上层封装体(150)的底部露出；

所述下层封装件(200)包括：

下层芯片(210)；

下层引线框架，其包括相互绝缘的下层第一管脚(221)和下层第二管脚(222)；

下层金属片组件，其包括相互绝缘的下层第一金属片(231)和下层第二金属片(232)；所述下层第一金属片(231)通过下层第一焊接件(241)与所述下层第一管脚(221)电连接，并通过下层第二焊接件(242)与所述下层芯片(210)电连接；所述下层第二金属片(232)与所述下层第二管脚(222)电连接；

下层封装体(250)，其包覆所述下层芯片(210)、所述下层引线框架和所述下层金属片组件；所述下层第二金属片(232)由所述下层封装体(250)的顶部露出，所述下层第一管脚(221)的一部分、所述下层芯片(210)的一部分和所述下层第二管脚(222)的一部分由所述下层封装体(250)露出；

所述上层封装件(100)的底部通过中间结合层与所述下层封装件(200)的顶部连接；所述上层第一管脚(121)与所述下层第二金属片(232)电连接。

2.根据权利要求1所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述上层第一焊接件(141)、所述上层第二焊接件(142)、所述下层第一焊接件(241)、所述下层第二焊接件(242)均为焊锡层。

3.根据权利要求1所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述上层第一金属片(131)的顶部由所述上层封装体(150)的顶部露出，所述下层芯片(210)的底部由所述下层封装体(250)的底部露出。

4.根据权利要求1所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述上层封装体(150)与所述下层封装体(250)之间具有散热间隙，所述上层芯片(110)的底部由所述上层封装体(150)的底部露出于所述散热间隙内。

5.根据权利要求1所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述上层封装体(150)与所述下层封装体(250)之间具有散热间隙，所述下层第一金属片(231)的顶部由所述下层封装体(250)的顶部露出于所述散热间隙内。

6.根据权利要求1所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述下层第一管脚(221)的底部、所述下层第二管脚(222)的底部均由所述下层封装体(250)的底部露出。

7.根据权利要求1-6任一项所述的无载体的半导体叠层封装结构，其特征在于，所述上层引线框架还包括与所述上层第一管脚(121)绝缘的上层第二管脚(122)，所述上层金属片组件还包括与所述上层第一金属片(131)绝缘的上层第二金属片(132)；所述上层第二管脚(122)与所述上层第二金属片(132)连接；所述上层第二金属片(132)的顶部由所述上层封装件(100)的顶部露出，所述上层第二管脚(122)的底部由所述上层封装件(100)的底部露出。